[发明专利]二氟亚甲基化合物的制造方法

权利要求书

1.式(9)所表示的化合物的制造方法，其特征在于，包括以下的步骤(A)~(F)：

步骤(A)：使式(1)所表示的化合物与式(2)所表示的化合物反应，得到式(3)所表示的化合物的步骤，

式(1)中，

R¹表示低级烷基、卤素原子、卤代低级烷基、环烷基、氰基或羟基低级烷基；

W表示氮原子或次甲基，

式(2)中，

L¹表示卤素原子、氰基、低级烷基、卤代低级烷基、环烷基、低级烷氧基、卤代低级烷氧基或羟基低级烷基；

L²为卤素原子或-OSO₂R⁴所表示的基团；

R⁴表示低级烷基、卤代低级烷基或芳基，在此，该芳基可被卤素原子、低级烷基或低级烷氧基取代；

LG为卤素原子或-OSO₂R⁵所表示的基团；

R⁵表示低级烷基、卤代低级烷基或芳基，在此，该芳基可被卤素原子、低级烷基或低级烷氧基取代，

式(3)中，L¹、L²、R¹和W与前述同义，

步骤(B)：通过将式(3)所表示的化合物的L²氰化，得到式(4)所表示的化合物的步骤，

式(4)中，L¹、R¹和W与前述同义，

步骤(C)：使式(4)所表示的化合物的硝基还原，得到式(5)所表示的化合物或其盐的步骤，

式(5)中，L¹、R¹和W与前述同义，

步骤(D)：通过将式(5)所表示的化合物或其盐的氨基卤化，得到式(6)所表示的化合物的步骤，

式(6)中，L¹、R¹和W与前述同义，X_L为卤素原子，

步骤(E)：使式(6)所表示的化合物与式(7)所表示的化合物反应，得到式(8)所表示的化合物的步骤，

式(7)中，

R²表示低级烷基、卤代低级烷基、环烷基、低级烯基或芳烷基；

R³表示氯原子、溴原子或碘原子，

式(8)中，L¹、R¹、R²和W与前述同义，

步骤(F)：将式(8)所表示的化合物的R²去除的步骤，

式(9)中，L¹、R¹和W与前述同义。