[发明专利]使用光刻法和光致抗蚀剂制造制品的设备和方法

权利要求书

1.一种配置成使用包括光致抗蚀剂材料的光致抗蚀剂来制造制品的设备，所述设备包括：

a.壳体，所述壳体构造成接纳所述光致抗蚀剂并将所述光致抗蚀剂定位在所述壳体中的至少一个操作位置中；

b.曝光系统，所述曝光系统配置成发射辐射，所述辐射入射到处于所述操作位置中时的所述光致抗蚀剂材料上，以引起所述光致抗蚀剂材料的暴露于所述辐射的区域的一个或更多个特性的改变；以及

c.加热器，所述加热器配置成在所述光致抗蚀剂处于所述操作位置中或处于所述壳体中的不同操作位置中时加热所述光致抗蚀剂材料以将所述光致抗蚀剂材料固化至基底；其中，

d.所述壳体是排除辐射的，使得外部辐射不能进入所述壳体至少达到下述程度：将所述外部辐射从所述壳体充分地排除以防止所述光致抗蚀剂材料的聚合或者使所述光致抗蚀剂材料的聚合最小化，并且此外，其中，所述壳体是洁净壳体，所述洁净壳体构造成至少在所述光致抗蚀剂处于所述操作位置或每个操作位置中时防止不希望的污染物进入所述壳体。

2.根据权利要求1所述的设备，所述设备配置成使用干膜光致抗蚀剂。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，其中，所述设备是手提式的。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的设备，所述设备定尺寸并构造为台式设备。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，所述设备配置成制造具有0.5微米或更小、2微米或更小、4微米或更小、或者20微米或更小的特征尺寸和/或具有至少1cm、5cm、10cm、15厘米或50cm或更大的尺度的特征尺寸的制品。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中，所述曝光系统包括曝光源，其中，所述曝光源包括选自下述任一项的光源：UV荧光管或灯泡、LED或LED阵列、激光器、投影仪和/或数字微镜装置(DMD)。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中，所述曝光源在所述设备内定位在所述光致抗蚀剂上方或下方并且能够将辐射发射到所述光致抗蚀剂的顶侧或底侧中的一者或两者上。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中，所述曝光系统包括一个或更多个辐射操纵器，所述一个或更多个辐射操纵器配置成操纵所述曝光源与所述光致抗蚀剂之间的辐射。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述曝光系统包括一个或更多个被动辐射操纵器和/或一个或更多个动态或主动辐射操纵器。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述动态辐射操纵器包括数字镜、LCD、检流计和/或光学机械激光系统中的任何一者或更多者。

11.根据权利要求9所述的设备，其中，所述被动辐射操纵器或每个被动辐射操纵器包括例如镜子、数字镜、棱镜、透镜、准直仪和/或分束器中的任何一者或更多者。

12.根据权利要求9所述的设备，其中，所述设备设有多个辐射操纵器。

13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述多个辐射操纵器设置为呈沿着所述曝光源与所述光致抗蚀剂之间的辐射路径的串联或并联构型。

14.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中，所述曝光源与所述光致抗蚀剂的所述操作位置之间的辐射路径的长度是能够调节的。

15.根据权利要求14所述的设备，还包括辐射路径长度调节器，所述辐射路径长度调节器构造成使所述光致抗蚀剂的所述操作位置和所述曝光源的位置中的一者或两者移动。