[发明专利]批量处理装载锁定腔室在审
申请号: | 201880026697.6 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN110546750A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 欧内斯托·J·乌洛亚 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05H1/46;H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;赵静<国际申请>=PCT/US2 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腔室主体 锁定腔室 装载 多个基板 入口喷嘴 匣盒 远程等离子体源 出口端口 处理区域 狭槽 改进 群集工具 上下移动 传送 储存 清洁 配置 | ||
本公开内容的实施方式大体涉及一种改进的批量处理装载锁定腔室、一种具有所述改进的批量处理装载锁定腔室的群集工具、以及一种使用所述改进的装载锁定腔室清洁设置在内的多个基板的方法。在一个实施方式中,一种装载锁定腔室包括:腔室主体;匣盒,所述匣盒设置在所述腔室主体中;远程等离子体源;多个入口喷嘴;以及多个出口端口。所述腔室主体具有形成在所述腔室主体中的多个基板传送狭槽。所述匣盒具有多个基板储存狭槽并被配置为在所述腔室主体内上下移动。所述多个入口喷嘴耦接到所述远程等离子体源并面对限定在所述腔室主体内的处理区域。所述多个出口端口跨所述处理区域面对所述多个入口喷嘴。
技术领域
本公开内容的实施方式大体涉及一种改进的批量处理装载锁定腔室,以及一种使用该改进的批量处理装载锁定腔室处理半导体基板的方法。
背景技术
群集工具允许在处理腔室之间自动地传送基板,以用于不同工艺,如化学气相沉积、物理气相沉积、蚀刻等。群集工具用于并行处理多个基板,以提高生产量和生产率。典型配置包括用于装载基板的常规装载锁定腔室、传送腔室以及可执行沉积和蚀刻工艺的多个处理腔室。在一些应用中,处理腔室中的一个或多个被预清洁腔室代替。使用传送机构在真空下在腔室之间传送基板,以防止基板暴露于空气,这防止了氧化和污染。
装载锁定腔室是群集工具中的辅助腔室,用于将基板引入传送腔室中而不将传送腔室内的真空条件暴露于群集工具外的空气。连接到装载锁定腔室的真空泵送系统将装载锁定腔室内的压力抽吸到与群集工具的传送腔室内的压力相当的水平。装载锁定腔室可以包括用于容纳多个基板的匣盒。
在处理之前,基板在附接到传送腔室的预清洁腔室中进行清洁。在预清洁工艺期间,杂质,诸如原生氧化物、有机物质,从基板上去除,以便准备用于后续处理。杂质影响基板的电性能。例如,通过将硅基板暴露于氧而形成的氧化硅膜是电绝缘的,并且因此是不期望的。
预清洁腔室的存在减少可附接到传送腔室的处理腔室的数量。因此,降低运行不同工艺的灵活性以及生产量。
发明内容
本公开内容的实施方式大体涉及一种改进的批量处理装载锁定腔室、一种具有所述改进的批量处理装载锁定腔室的群集工具、以及一种使用所述改进的装载锁定腔室清洁设置在内的多个基板的方法。在一个实施方式中,一种装载锁定腔室包括:腔室主体;匣盒,所述匣盒设置在所述腔室主体中;远程等离子体源;多个入口喷嘴;以及多个出口端口。所述腔室主体具有形成在所述腔室主体中的多个基板传送狭槽。所述匣盒具有多个基板储存狭槽并被配置为在所述腔室主体内上下移动。所述多个入口喷嘴耦接到所述远程等离子体源并面对限定在所述腔室主体内的处理区域。所述多个出口端口跨所述处理区域面对所述多个入口喷嘴。
在本公开内容的另一个实施方式中,一种装载锁定腔室包括:腔室主体;匣盒,所述匣盒设置在所述腔室主体中;远程等离子体源;多个入口喷嘴;多个出口端口;泵,所述泵耦接到所述多个出口端口;一个或多个加热元件,所述一个或多个加热元件围绕所述腔室主体设置;一个或多个冷却通道,所述一个或多个冷却通道围绕所述腔室主体设置;入口歧管;出口歧管;以及升降致动器,所述升降致动器被配置为升高和降低所述匣盒。所述腔室主体具有形成在所述腔室主体中的多个基板传送狭槽。所述匣盒具有多个基板储存狭槽。所述多个入口喷嘴耦接到所述远程等离子体源并面对限定在所述腔室主体内的处理区域。所述多个出口端口跨所述处理区域面对所述多个入口喷嘴。所述入口歧管将所述远程等离子体源连接到所述多个入口喷嘴。所述出口歧管将所述多个出口端口连接到所述泵。
在本公开内容的又一个实施方式中,提供一种用于处理设置在装载锁定腔室中的多个基板的方法。所述方法包括:通过穿过腔室主体形成的第一基板传送狭槽向设置在所述腔室主体中的匣盒中装载多个基板;使来自远程等离子体源的自由基水平地流过设置在所述匣盒中的所述多个基板;以及通过穿过所述腔室主体形成的第二基板传送狭槽将在暴露于所述自由基之后的所述多个基板传送出所述腔室主体。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造