[发明专利]拾取方法、拾取装置和安装装置有效
申请号: | 201880025630.0 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN110537252B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 岩出卓;新井义之;稻垣润 | 申请(专利权)人: | 东丽工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/60;H01L21/677;H05K13/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拾取 方法 装置 安装 | ||
本发明的课题在于降低粘接力等保持力的影响而可靠性高地进行半导体芯片的拾取和安装。具体而言,提供拾取方法,通过最表层具有半导体芯片载持面(13)的静电转移板来拾取半导体芯片(1),其特征在于,该拾取方法至少具有如下的工序:带电工序,在半导体芯片载持面(13)上形成期望的带电图案;以及拾取工序,将所排列的多个半导体芯片(1)中的半导体芯片(1)根据期望的带电图案而吸附于半导体芯片载持面(13),从而选择性地拾取半导体芯片(1)。
技术领域
本发明涉及从所排列的多个半导体芯片中拾取期望的半导体芯片的拾取方法、拾取装置和安装装置。
背景技术
关于半导体芯片,为了降低成本而进行小型化,并且进行用于高速、高精度地安装小型化的半导体芯片的努力。特别是,用于显示器的LED要求以数μm的精度高速地安装被称为微型LED的50μm×50μm以下的LED芯片。
在专利文献1中记载了如下的结构:对呈格子状形成在晶片上的半导体芯片照射带状的激光,从而按照每一行或每多行一并转移至转移基板,然后对转移至转移基板后的多个半导体芯片照射带状的激光,按照每一行或每多行一并转移至转移基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-161221号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,专利文献1所记载的结构存在如下的问题:在将半导体芯片从一个转移基板转移(拾取)至另一转移基板时,由于保持着半导体芯片的粘接力等的影响,担心无法从一个转移基板分离而无法顺利地转移至另一转移基板。
本发明解决上述问题点,其课题在于消除粘接力等的影响从而可靠性高地进行半导体芯片的拾取和安装。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题,本发明提供拾取方法,通过最表层具有半导体芯片载持面的静电转移板来拾取半导体芯片,其特征在于,该拾取方法至少具有如下的工序:带电工序,在所述半导体芯片载持面上形成期望的带电图案;以及拾取工序,将所排列的多个所述半导体芯片中的所述半导体芯片根据所述期望的带电图案而吸附于所述半导体芯片载持面,从而选择性地拾取所述半导体芯片。
根据该结构,利用所带有的静电来拾取半导体芯片,从而能够消除粘接力等的影响而可靠性高地进行半导体芯片的拾取。
也可以采用如下的结构:所述静电转移板具有绝缘层,所述绝缘层的表面是所述半导体芯片载持面,在所述带电工序中,使施加了高电压的电极选择性地与所述半导体芯片载持面接触或接近,从而在所述静电转移板的所述半导体芯片载持面上形成所述期望的带电图案。
根据该结构,能够可靠地形成期望的带电图案。
也可以采用如下的结构:所述静电转移板具备具有光导电性的绝缘层,所述绝缘层的表面是所述半导体芯片载持面,所述带电工序通过如下的均匀带电工序和曝光工序而在所述静电转移板的所述半导体芯片载持面上形成所述期望的带电图案,所述均匀带电工序使所述半导体芯片载持面均匀地带电,所述曝光工序根据所述期望的带电图案而对所述半导体芯片载持面照射光能。
根据该结构,也能够可靠地形成期望的带电图案。
另外,为了解决上述课题,本发明提供拾取装置,其通过最表层具有半导体芯片载持面的静电转移板来拾取半导体芯片,其特征在于,该拾取装置至少具有:带电图案形成装置,其在所述半导体芯片载持面上形成期望的带电图案;载置台,其排列有多个半导体芯片;以及静电转移板移载头,其对所述静电转移板进行移载,所述静电转移板移载头将所述静电转移板移载至所述载置台,根据所述期望的带电图案,将排列在所述载置台上的多个所述半导体芯片中的所述半导体芯片选择性地吸附于所述半导体芯片载持面而进行拾取。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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