[发明专利]半导体器件用基板的清洗液、半导体器件用基板的清洗方法、半导体器件用基板的制造方法和半导体器件用基板在审
申请号: | 201880019482.1 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN110447090A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 柴田俊明;原田宪;草野智博;竹下祐太朗;河瀬康弘 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C11D7/26;C11D7/32;C11D17/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孟伟青;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 清洗液 基板 化合物组成 多元羧酸 抗坏血酸 羟基羧酸 式中 清洗 制造 自由 | ||
1.一种半导体器件用基板的清洗液,该清洗液的pH为8以上11.5以下,该清洗液含有以下的成分(A)~(E),
成分(A):含有选自由下述通式(1)~(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种的化合物,
[化1]
所述通式(1)中,R1~R6各自独立地表示氢原子、碳原子数为1~4的烷基、羧基、羰基或具有酯键的官能团,
[化2]
所述通式(2)中,R11~R17各自独立地表示氢原子、碳原子数为1~4的烷基、羧基、羰基或具有酯键的官能团,
[化3]
所述通式(3)中,R21~R28各自独立地表示氢原子、碳原子数为1~4的烷基、羧基、羰基或具有酯键的官能团;
成分(B):抗坏血酸;
成分(C):多元羧酸或羟基羧酸;
成分(D):pH调节剂;
成分(E):水。
2.如权利要求1所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,所述成分(A)含有选自由下述通式(1)~(2)所表示的化合物组成的组中的至少一种,
[化4]
所述通式(1)中,R1~R6各自独立地表示氢原子或碳原子数为1~4的烷基,
[化5]
所述通式(2)中,R11~R17各自独立地表示氢原子或碳原子数为1~4的烷基。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,所述成分(A)含有选自由1,2-二氨基丙烷、1,3-二氨基丙烷和N-甲基-1,3-二氨基丙烷组成的组中的至少一种。
4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,所述成分(C)含有选自由草酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸和乳酸组成的组中的至少一种。
5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,所述成分(D)为选自由包含碱金属的无机碱化合物、包含碱土金属的无机碱化合物和下述通式(4)所表示的有机季铵氢氧化物组成的组中的至少一种,
(R31)4N+OH-···(4)
所述通式(4)中,R31表示烷基或者被羟基、烷氧基或卤素取代的烷基,4个R31可以相互相同也可以不同。
6.如权利要求1~5中任一项所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,所述pH为10以上11以下。
7.如权利要求1~6中任一项所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,在清洗液总量100质量%中,组氨酸的含量为0质量%以上0.01质量%以下。
8.如权利要求1~7中任一项所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,在清洗液总量100质量%中,所述成分(A)的含量为0.001质量%以上20质量%以下。
9.如权利要求1~8中任一项所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,在清洗液总量100质量%中,所述成分(B)的含量为0.001质量%以上20质量%以下。
10.如权利要求1~9中任一项所述的半导体器件用基板的清洗液,其中,在清洗液总量100质量%中,所述成分(C)的含量为0.001质量%以上10质量%以下。
11.一种半导体器件用基板的清洗方法,其中,使用权利要求1~10中任一项所述的半导体器件用基板的清洗液对半导体器件用基板进行清洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造