[发明专利]半导体晶圆的清洗方法

说明书

本发明为一种半导体晶圆的清洗方法，该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止，以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此，提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中，能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体晶圆的清洗方法。

技术领域

本发明涉及一种半导体晶圆的清洗方法。

背景技术

当前，在半导体晶圆的批次式清洗中，一般是使用氢氟酸(HF)及臭氧水的浸渍式的清洗方法。在该方法中，通过HF清洗除去晶圆上的氧化膜，同时除去微粒等异物，并通过之后的臭氧水清洗进行晶圆的氧化，从而进行自然氧化膜的生成及残留的微粒等异物的除去。

相较于以往，此时，认为与将半导体晶圆浸渍(插入)至填充有清洗液的清洗槽内的速度(浸渍速度)相比，从清洗槽拉提(拉出)的速度(拉提速度)是重要的(例如，专利文献1)。

以往，为了降低附着在半导体晶圆上的微粒等异物，进行将从氢氟酸槽的拉提速度设定为低速的方案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-283483号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题

一旦对半导体晶圆进行氢氟酸清洗而剥离自然氧化膜，会成为出现裸面(疏水面)的状态。在通过臭氧水槽对该出现裸面的状态的晶圆进行清洗(氧化)的步骤中，以往朝向臭氧水槽的浸渍(插入)速度为固定，不会变更，一般为10000mm/min左右的低速。

然而，在利用臭氧水槽的清洗步骤之中，虽然在氧化膜的形成的同时也进行微粒等异物的除去，但是已知在浸渍速度缓慢的情况下，由于臭氧水与半导体晶圆的相对速度缓慢，因此会出现微粒难以脱离而微粒等异物残留的问题。

进一步，一般而言，由于臭氧水的清洗液的流动为自下朝上的流向，因此微粒等已脱离的异物容易滞留在清洗槽的液面附近。因此还已知，一旦浸渍速度缓慢，会出现已脱离的微粒再次附着于晶圆上的未完全进行氧化的地方的问题。

鉴于上述问题点，本发明的目的在于提供一种半导体晶圆的清洗方法，从而在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后再浸渍于臭氧水进行清洗的方法中，能够防止微粒等异物的残留或已除去的异物的再次附着。

(二)技术方案

为了解决上述课题，本发明提供一种半导体晶圆的清洗方法，所述方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止，以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。

如果根据这样的半导体晶圆的清洗方法，则能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着。另外，由于还获得搬送速度的高速化，因此吞吐量提高。

另外，在这种情况下，优选以拉出速度1000mm/min以下进行所述半导体晶圆从所述氢氟酸槽的拉出。

通过这样使从氢氟酸槽的拉出速度为低速，能够更进一步减少微粒等异物。

另外，在这种情况下，从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆的上端处于距离所述臭氧水的液面50mm以上的位置为止，优选以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。