[发明专利]固体拍摄元件以及固体拍摄元件的制造方法在审
| 申请号: | 201880017465.4 | 申请日: | 2018-04-17 |
| 公开(公告)号: | CN110419105A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 高桥聪 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;H01L21/3065;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩色滤光片 固体拍摄元件 间隔壁 光电变换元件 半导体基板 可见光透射 边缘部 蚀刻 反应生成物 二维配置 高精细 灵敏度 侧壁 混色 制造 图案 配置 | ||
1.一种固体拍摄元件,在二维配置有多个光电变换元件的半导体基板上具有与各光电变换元件对应地配置有多种颜色的彩色滤光片的彩色滤光片图案,其特征在于,
在所述半导体基板与所述彩色滤光片图案之间形成的使得第一可见光透射的层、和在相邻的所述彩色滤光片之间形成的使得第二可见光透射的层相连续,
所述使得第一可见光透射的层和所述使得第二可见光透射的层由相同的材料构成,
所述多种颜色的彩色滤光片中的面积最大的彩色滤光片的边缘和所述使得第二可见光透射的层的边缘部相连续,
在所述面积最大的彩色滤光片的侧壁形成有含有构成所述使得第一可见光透射的层的成分的反应生成物层。
2.根据权利要求1所述的固体拍摄元件,其特征在于,
在所述使得第二可见光透射的层的内侧具有含有金属的层,
所述含有金属的层在俯视时以将所述各光电变换元件包围的方式形成为格子形状。
3.根据权利要求1或2所述的固体拍摄元件,其特征在于,
所述使得第二可见光透射的层的高度低于所述多种颜色的彩色滤光片,
所述多种颜色的彩色滤光片中的面积最大的彩色滤光片还形成于所述使得第二可见光透射的层上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的固体拍摄元件,其特征在于,
所述多种颜色的彩色滤光片中的面积最大的彩色滤光片由具有热固化成分以及光固化成分中的至少一者的树脂形成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的固体拍摄元件,其特征在于,
所述多种颜色的彩色滤光片中的面积最大的彩色滤光片,利用浓度大于或等于50质量%的着色剂而形成。
6.一种固体拍摄元件的制造方法,所述固体拍摄元件在二维配置有多个光电变换元件的半导体基板上具有与各光电变换元件对应地配置有多种颜色的彩色滤光片的彩色滤光片图案,在所述各彩色滤光片之间以及所述各彩色滤光片的下层形成有使得可见光透射的层,其特征在于,
具有如下工序:
在二维配置有所述多个光电变换元件的半导体基板上的整个面形成使得可见光透射的层;
在所述使得可见光透射的层,通过干蚀刻使得所述多个彩色滤光片图案中的第一种颜色的彩色滤光片图案的形成部位开口而实现图案化;
在所述图案化的工序之后,将第一种颜色的彩色滤光片材料涂敷于开口的部位并使其固化,由此形成由第一彩色滤光片构成的第一彩色滤光片图案;
对于其他彩色滤光片图案的形成部位,通过干蚀刻而使得可见光透射的层以及其上方的所述第一种颜色的彩色滤光片开口;以及
通过光刻而使得所述其他彩色滤光片实现图案化。
7.根据权利要求6所述的固体拍摄元件的制造方法,其特征在于,
在形成所述使得可见光透射的层之前,与所述光电变换元件对应地使得含有金属的层以格子形状而形成为间隔壁,以将该间隔壁覆盖的方式形成所述使得可见光透射的层。
8.根据权利要求6或7所述的固体拍摄元件的制造方法,其特征在于,
所述第一种颜色的彩色滤光片由绿色滤光片构成,
其他彩色滤光片通过蓝色滤光片、红色滤光片、IR阻断滤光片以及相对于可见光透明的高折射率滤光片中的任意者组合而成。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的固体拍摄元件的制造方法,其特征在于,
所述彩色滤光片含有构成所述彩色滤光片的树脂、以及对所述彩色滤光片赋予颜色的颜料,
在所述彩色滤光片中含有的所述颜料的浓度设为大于或等于50质量%时,在所述多种颜色的彩色滤光片中,将在由构成所述彩色滤光片的树脂中含有的感光性成分固化而形成形状时边缘部的曲率半径最大的彩色滤光片设为所述第一种颜色的彩色滤光片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





