[发明专利]用于缺陷材料分类的系统及方法有效
| 申请号: | 201880011822.6 | 申请日: | 2018-01-02 |
| 公开(公告)号: | CN110301038B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
| 发明(设计)人: | 国衡·赵;J-K·龙;M·基尔克 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 缺陷 材料 分类 系统 方法 | ||
本发明揭示一种检验系统,其包含:照明源,其产生照明光束;聚焦元件,其将所述照明光束引导到样品;检测器;集光元件,其经配置以将从所述样品发出的辐射引导到所述检测器;检测模式控制装置,其在两个或两个以上检测模式中成像所述样品使得所述检测器基于所述两个或两个以上检测模式产生两个或两个以上集光信号;及控制器。从所述样品发出的辐射至少包含由所述样品镜面反射的辐射及由所述样品散射的辐射。所述控制器基于所述两个或两个以上集光信号确定与由所述样品上的缺陷散射的辐射相关联的缺陷散射特性。所述控制器还根据经预先确定缺陷分类集基于所述一或多个缺陷散射特性对一或多个粒子分类。
本申请案根据35U.S.C.§119(e)规定主张2017年1月5日申请的以赵国恒(GuohengZhao)、梁J.K.(J.K.Leong)及麦克科克(Mike Kirk)为发明者的标题为“缺陷材料分类(DEFECT MATERIAL CLASSIFICATION)”的序列号为62/442,838的美国临时申请案的权益,所述申请案以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及缺陷材料分类,且更特定来说,涉及基于缺陷散射特性对缺陷材料分类。
背景技术
通常高度控制半导体制造环境以抑制可干扰制造工艺或使经制造装置的性能降级的外界材料对晶片的污染。通常使用检验系统以在衬底上定位缺陷(例如(但不限于)外界粒子)用于筛选及避免测量。举例来说,可在生产之前筛选未经处理晶片以仅选择适合晶片或在用于生产的晶片上识别缺陷位点。可额外地期望对经识别缺陷的材料组成分类以确定贯穿制造工艺的适当清洁或避免步骤。然而,经制造特征件的大小的减小驱动检测衬底上的越来越小的缺陷且对所述越来越小的缺陷分类的需要,其可对检验系统的灵敏度及处理量提出挑战。因此,迫切需要开发用以在晶片检验系统中检测小粒子的系统及方法。
发明内容
揭示一种根据本发明的一或多个说明性实施例的检验系统。在一个说明性实施例中,所述系统包含用以产生照明光束的照明源。在另一说明性实施例中,所述系统包含用以将所述照明光束引导到样品的一或多个聚焦元件。在另一说明性实施例中,所述系统包含检测器。在另一说明性实施例中,所述系统包含经配置以将从所述样品发出的辐射引导到所述检测器的一或多个集光元件。在另一说明性实施例中,从所述样品发出的所述辐射包含由所述样品镜面反射的辐射及由所述样品散射的辐射。在另一说明性实施例中,所述系统包含检测模式控制装置,所述检测模式控制装置在两个或两个以上检测模式中成像所述样品使得所述检测器基于所述两个或两个以上检测模式产生两个或两个以上集光信号。在另一说明性实施例中,所述系统包含控制器。在另一说明性实施例中,所述控制器基于所述两个或两个以上集光信号确定与由所述样品上的一或多个缺陷散射的辐射相关联的一或多个缺陷散射特性。在另一说明性实施例中,所述一或多个缺陷散射特性包含散射相位、散射强度或缺陷吸收中的至少一者。在另一说明性实施例中,所述控制器根据经预先确定缺陷分类集基于所述一或多个缺陷散射特性对所述一或多个缺陷分类。
揭示一种根据本发明的一或多个说明性实施例的检验系统。在一个说明性实施例中,所述系统包含用以产生照明光束的照明源。在另一说明性实施例中,所述系统包含经配置以将所述照明光束引导到样品的一或多个聚焦元件。在另一说明性实施例中,所述系统包含检测器。在另一说明性实施例中,所述系统包含用以将从所述样品发出的辐射引导到所述检测器的一或多个集光元件。在另一说明性实施例中,从所述样品发出的所述辐射包含由所述样品镜面反射的辐射及由所述样品散射的辐射。在另一说明性实施例中,所述系统包含相位控制装置,所述相位控制装置引入由所述样品镜面反射的所述辐射与由所述样品散射的所述辐射之间的两个或两个以上不同所选择的相位偏移使得所述检测器产生两个或两个以上集光信号。在另一说明性实施例中,所述系统包含控制器。在另一说明性实施例中,所述控制器基于所述两个或两个以上集光信号确定引入到由所述样品上的一或多个缺陷散射的所述照明光束的一或多个散射相位值。在另一说明性实施例中,所述控制器根据经预先确定缺陷分类集基于所述一或多个散射相位值对所述一或多个缺陷分类。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





