[发明专利]用于缺陷材料分类的系统及方法有效
| 申请号: | 201880011822.6 | 申请日: | 2018-01-02 |
| 公开(公告)号: | CN110301038B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
| 发明(设计)人: | 国衡·赵;J-K·龙;M·基尔克 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 缺陷 材料 分类 系统 方法 | ||
1.一种用于缺陷分类的系统,其包括:
照明源,其经配置以产生照明光束;
一或多个聚焦透镜,其经配置以将所述照明光束引导到样品;
检测器;
一或多个集光透镜,其经配置以将从所述样品发出的辐射引导到所述检测器,其中从所述样品发出的所述辐射包含由所述样品镜面反射的辐射及由所述样品散射的辐射;
一或多个相位板,其配置以引入所述样品镜面反射的所述辐射及由所述样品散射的所述辐射之间的两个以上不同的所选择的相位偏移,使得所述检测器产生两个以上集光信号;及
控制器,其通信地耦合到所述检测器,所述控制器包含一或多个处理器,所述一或多个处理器经配置以执行经配置以引导所述一或多个处理器完成以下项的程序指令:
基于所述两个以上集光信号确定引入到由所述样品上的一或多个缺陷散射的所述照明光束的一或多个散射相位值;及
根据经预先确定缺陷分类集基于所述一或多个散射相位值对所述一或多个缺陷分类。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个相位板包括:
两个以上相位板,其安装在平移载物台上,所述平移载物台通信地耦合到所述控制器,其中所述平移载物台经配置以将所述两个以上相位板循序地插入到从所述样品发出的所述辐射中以引入所述两个以上所选择的相位偏移,其中所述两个以上集光信号对应于由所述检测器响应于由所述两个以上相位板修改的从所述样品发出的所述辐射循序地产生的两个以上信号。
3.根据权利要求1所述的系统,其进一步包括:
一或多个光束分离器,其将从所述样品发出的所述辐射分离成两个以上样品光束,其中所述一或多个相位板包括:
两个以上相位板,其中所述两个以上样品光束被引导到所述两个以上相位板以引入所述两个以上所选择的相位偏移,其中所述两个以上集光信号对应于由所述检测器的两个以上检测器组合件响应于由所述两个以上相位板修改的从所述样品发出的所述辐射产生的两个以上信号。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个相位板包括:
平移载物台,用以固定所述样品,其中所述平移载物台通信地耦合到所述控制器,其中所述平移载物台经配置以沿着所述一或多个聚焦透镜的光轴将所述样品平移到两个以上焦点位置以引入所述两个以上不同所选择的相位偏移,其中所述两个以上集光信号对应于由所述检测器在所述两个以上焦点位置处产生的两个以上信号。
5.根据权利要求1所述的系统,其进一步包括:
一或多个孔径,其经配置以基于从所述样品发出的所述辐射在所述检测器上循序地产生明场图像作为所述两个以上集光信号的第一集光信号,且基于从所述样品发出的所述辐射在所述检测器上循序地产生暗场图像作为所述两个以上集光信号的第二集光信号。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述两个以上集光信号中的至少第一者包括:
干式图像,其中所述两个以上集光信号中的至少一者包括:
水浸润图像。
7.根据权利要求1所述的系统,其进一步包括:
衰减板,其经配置以相对于由所述样品散射的辐射降低由所述样品镜面反射的辐射的强度。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述经预先确定缺陷分类集包括:
金属、电介质或有机材料中的至少一者。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述经预先确定缺陷分类集包括:
银、铝、金、铜、铁、钼、钨、锗、硅、硝酸硅或二氧化硅中的至少一者。
10.根据权利要求1所述的系统,其中从所述样品发出的所述辐射进一步包含荧光辐射,其中所述一或多个处理器进一步经配置以:
基于所述两个以上集光信号确定与由所述样品上的一或多个缺陷产生的辐射相关联的一或多个荧光强度值;且
根据经预先确定缺陷分类集基于所述一或多个荧光强度值对所述一或多个缺陷分类。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





