[实用新型]一种键合用吸附模具有效
| 申请号： | 201822149404.3 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209071302U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 郭新华;傅金源;金宇航;黄珂 | 申请（专利权）人： | 浙江芯丰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 | 代理人： | 罗莎 |
| 地址： | 318000 浙江省台州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 定位槽 上表面 上模板 模具 气体流道 真空腔 吸附 吸附孔 吸附力 下模座 连通 半导体封装技术 本实用新型 上下定位 左右限位 抽气孔 模座 受力 | ||
【权利要求书】：
1.一种键合用吸附模具，包括下模座(1)和上模板(2)，所述下模座(1)的上表面开设有真空腔(11)，所述真空腔(11)的内底面上开设有抽气孔(12)，所述上模板(2)盖在下模座(1)的上表面且上模板(2)的上表面开设有连通真空腔(11)的吸附孔(21)，其特征在于，所述上模板(2)的上表面开设有定位槽(22)，所述定位槽(22)的底面上开设有气体流道(23)，所述吸附孔(21)开设在定位槽(22)的底面上并与气体流道(23)连通。
2.根据权利要求1所述的一种键合用吸附模具，其特征在于，所述气体流道(23)具有若干条，若干条气体流道(23)呈辐射状布置，每条气体流道(23)的一端均与吸附孔(21)相连通。
3.根据权利要求2所述的一种键合用吸附模具，其特征在于，所述每条气体流道(23)的外端均延伸至定位槽(22)的边沿处。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种键合用吸附模具，其特征在于，所述上模板(2)的上表面位于定位槽(22)的左右侧处均开设有凹槽(24)，所述凹槽(24)与定位槽(22)相连通。
5.根据权利要求4所述的一种键合用吸附模具，其特征在于，所述凹槽(24)的深度大于定位槽(22)的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
