[实用新型]薄膜沉积均匀进气装置

说明书

一种薄膜沉积均匀进气装置，放置在靶材和晶圆加热盘之间，固定在靶材下方。本实用新型设计的进气装置包括气环和进气座。所述的气环由两个半圆环组成，所述的进气座有两个；气环与进气座相连，两两相固定，构成圆环状。通过增加进气装置，使反应气体均匀进入反应腔，从而在晶圆表面均匀反应和沉积，改善晶圆表面沉积薄膜的厚度和方阻的均匀性。本装置结构简单、易于安装。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造装置技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积均匀进气装置。

背景技术

物理气相沉积工艺是半导体制造的关键步骤之一，此步骤工艺对沉积薄膜的阻值均匀性、膜厚均匀性等参数要求较高，如何获得高质量的薄膜材料对半导体制造下一环节十分重要。目前，传统的物理气相沉积工艺，尤其是金属氮化物和氧化物薄膜沉积工艺，所使用的反应气体在腔体内存在分布不均匀的问题，从而导致薄膜厚度和方阻的均匀性不佳；

本实用新型是在常规的物理气相沉积反应腔内部，加入均匀进气装置，优化薄膜的厚度和方阻的均匀性。本装置结构简单、易于安装。

发明内容

为了解决薄膜厚度和方阻的均匀性不佳的技术问题，本实用新型的技术方案为：

一种薄膜沉积均匀进气装置，应用于物理气相沉积腔体，所述沉积腔体内使用永磁装置通过直流、交流或脉冲直流磁控溅射，将金属氮化物或金属氧化物薄膜沉积到晶圆表面；其中，所述的磁控溅射装置包括永磁装置、靶材和溅射动力源（可以是直流、交流或脉冲直流电源）；

所述薄膜沉积均匀进气装置包括气环和进气座；

所述气环呈半圆环状，所述的进气座有两个；气环与进气座相连，两两相固定，构成圆环状。所述进气装置放置在靶材和晶圆加热盘之间，固定在靶材下方；

所述气体均匀进气装置，通过设计环形进气口装置，使的反应气体均匀进入反应腔，从而在晶圆表面均匀反应和沉积，改善晶圆表面沉积薄膜的厚度和方阻的均匀性；

所述的气环采用不锈钢材料，外表面做喷砂处理，内表面做抛光处理；采用不锈钢材料可起到较好空气密封作用，圆环表面做喷砂处理，提高附着力，使得沉积材料可以牢固的附在其表面，避免出现颗粒问题。所述气环内壁开多个小孔，用做出气口；

所述进气座采用不锈钢材料，正面开三个圆形孔洞，两边为螺纹固定孔，中间为进气孔；所述进气座内部开两个进气槽，连接进气孔和气环固定口；

综上所述，本实用新型一种薄膜沉积均匀进气装置，是内置在反应腔中的分散型进气装置，设备结构简单、易于安装。

附图说明

图1为本实用新型安装位置示意图；

图2为本实用新型总体结构示意图；

图3为本实用新型气环结构示意图；

图4为本实用新型进气座结构示意图；

图5为本实用新型进气座剖面图；

图6为本实用新型气环与进气座安装图；

1.气环；2.进气座；3.靶材；4.进气装置；5.腔体；6.晶圆加热盘。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明；

如图1所示，进气装置4安装在靶材3和晶圆加热盘6之间，固定在靶材3下方。如图2所示，一种薄膜沉积均匀进气装置，包括气环1和进气座2。所述的气环1呈半圆形，所述的进气座2有两个；气环1与进气座2相连，两两相固定，构成圆环状；