[实用新型]薄膜沉积均匀进气装置有效

专利信息
申请号: 201822144002.4 申请日: 2018-12-20
公开(公告)号: CN209702845U 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 周云;睢智峰;张德培 申请(专利权)人: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 进气装置 进气座 气环 晶圆表面 靶材 本实用新型 薄膜沉积 沉积薄膜 反应气体 均匀反应 装置结构 半圆环 反应腔 加热盘 均匀性 圆环状 方阻 晶圆 两相 沉积
【权利要求书】:

1.一种薄膜沉积均匀进气装置,应用于物理气相沉积腔体,所述沉积腔体内使用永磁装置通过直流、交流或脉冲直流磁控溅射,将金属氮化物或金属氧化物薄膜沉积到晶圆表面;其中,所述的磁控溅射装置包括永磁装置、靶材和溅射动力源,所述溅射动力源可以是直流、交流或脉冲直流电源;其特征在于:所述薄膜沉积均匀进气装置放置在靶材和晶圆加热盘之间,固定在靶材下方。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积均匀进气装置,其特征在于,所述薄膜沉积均匀进气装置包括气环和进气座,所述的进气座有两个,所述气环与所述进气座相连,两两相固定,构成圆环状。

3.根据权利要求2所述的薄膜沉积均匀进气装置,其特征在于:所述的气环由两个半圆环状组成,采用不锈钢材料,外表面做喷砂处理,内表面做抛光处理。

4.根据权利要求2所述的薄膜沉积均匀进气装置,其特征在于:所述气环内壁开多个小孔,用做出气口。

5.根据权利要求2所述的薄膜沉积均匀进气装置,其特征在于:所述进气座采用不锈钢材料,正面开三个圆形孔洞,两边为螺纹固定孔,中间为进气孔。

6.根据权利要求2所述的薄膜沉积均匀进气装置,其特征在于:所述进气座内部开两个进气槽,连接进气孔和气环固定口。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海陛通半导体能源科技股份有限公司,未经上海陛通半导体能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822144002.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top