[实用新型]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201822111247.7 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN208954989U | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 葛邦同 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 高星 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源层 漏极 投影轮廓 源极 阵列基板 绝缘保护层 衬底基板 显示装置 投影 本实用新型 环境光线 距离设置 开口率 沟道 减小 预设 反射 遮挡 照射 垂直 外部 覆盖 申请 | ||
本实用新型提供一种阵列基板及显示装置,其中,阵列基板包括:衬底基板;栅极,设置于所述衬底基板上;绝缘保护层,设置在所述栅极上;有源层,设置于所述绝缘保护层上;源极;漏极,所述漏极部分覆盖所述有源层;所述有源层位于所述源极及漏极之间的部分形成有沟道,在垂直于所述栅极的方向,所述栅极的投影完全覆盖所述有源层的投影,所述有源层的投影轮廓与所述栅极的投影轮廓的距离为2~5微米。本申请由于源极和漏极可遮挡大部分外部的环境光线,同时,将有源层在栅极上的投影轮廓与栅极的投影轮廓的距离设置在预设范围内,在不影响开口率的情况下,消除或减少栅极和源极之间以及栅极和漏极之间的反射,进而减小对有源层的照射。
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
现有的显示器,如薄膜晶体管液晶显示器,光照是影响薄膜晶体管性能的重要因素,薄膜晶体管在暴露于光照环境时,会产生光诱导的漏电流,并使像素保持电路产生变化,最佳公共电压不稳定,导致显示不良,例如显示屏的画面发生闪烁现象,画面显示质量较差,同时,薄膜晶体管的设计结构不理想时也会导致光生漏电流,使显示质量下降。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种阵列基板,旨在解决由光照产生的漏电流导致显示屏显示不良的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种阵列基板,包括:
衬底基板;
栅极,设置于所述衬底基板上;
绝缘保护层,设置在所述栅极上;
有源层,设置于所述绝缘保护层上;
源极,设置在所述有源层的一侧上,所述源极部分覆盖所述有源层;
漏极,设置在所述有源层的另一侧上,所述漏极部分覆盖所述有源层;
所述有源层位于所述源极及漏极之间的部分形成有沟道,在垂直于所述栅极的方向,所述栅极的投影完全覆盖所述有源层的投影,所述有源层的投影轮廓与所述栅极的投影轮廓的距离为2~5微米。
在一个实施例中,所述有源层在垂直于所述基板的方向上的投影覆盖所述源极在垂直于所述栅极的方向上的投影。
在一个实施例中,所述源极呈弯折状,其一侧形成有凹槽,所述漏极至少部分位于所述凹槽中,所述有源层位于所述源极的侧壁和漏极的侧壁之间的部分形成所述沟道。
在一个实施例中,所述凹槽的横截面呈U形。
在一个实施例中,所述漏极呈条状,所述沟道各处宽度相等。
在一个实施例中,所述绝缘保护层完全覆盖所述栅极。
在一个实施例中,所述绝缘保护层为氧化硅层或氮化硅层。
在一个实施例中,所述有源层为非晶硅有源层、低温多晶硅有源层或氧化铟镓锌有源层。
本实用新型的另一目的在于提供一种阵列基板,包括上述晶体管以及用于承载所述晶体管的基板。
本实用新型的另一目的在于提供一种阵列基板,包括:
衬底基板;
栅极,设置在所述衬底基板上;
绝缘保护层,设置在所述栅极上且覆盖所述栅极;
有源层,设置在所述绝缘保护层上;
源极,设置在所述有源层上,所述源极呈U形,其一侧形成有凹槽;
漏极,呈条状且设置在所述有源层上,所述漏极的一部分位于所述凹槽内;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的