[实用新型]阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201822111247.7 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN208954989U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 葛邦同 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 高星 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源层 漏极 投影轮廓 源极 阵列基板 绝缘保护层 衬底基板 显示装置 投影 本实用新型 环境光线 距离设置 开口率 沟道 减小 预设 反射 遮挡 照射 垂直 外部 覆盖 申请 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于：包括：
衬底基板；
栅极，设置于所述衬底基板上；
绝缘保护层，设置于所述栅极上；
有源层，设置于所述绝缘保护层上；
源极，设置在所述有源层的一侧上，所述源极部分覆盖所述有源层；
漏极，设置在所述有源层的另一侧上，所述漏极部分覆盖所述有源层；
所述有源层位于所述源极及漏极之间的部分形成沟道，在垂直于所述栅极的方向，所述栅极的投影完全覆盖所述有源层的投影，所述有源层的投影轮廓与所述栅极的投影轮廓的距离为2～5微米。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述有源层的投影覆盖所述源极在垂直于所述栅极的方向上的投影。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述源极呈弯折状，其一侧形成有凹槽，所述漏极至少部分位于所述凹槽中，所述有源层位于所述凹槽的侧壁和漏极的侧壁之间的部分形成所述沟道。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：所述凹槽的横截面呈U形。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：所述漏极呈条状，所述沟道各处宽度相等。
6.根据权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于：所述绝缘保护层完全覆盖所述栅极。
7.根据权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于：所述绝缘保护层为氧化硅层或氮化硅层。
8.根据权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于：所述有源层为非晶硅有源层、低温多晶硅有源层或氧化铟镓锌有源层。
9.一种阵列基板，其特征在于：包括：
衬底基板；
栅极，设置在所述衬底基板上；
绝缘保护层，设置在所述栅极上且覆盖所述栅极；
有源层，设置在所述绝缘保护层上；
源极，设置在所述有源层上，所述源极呈U形，其一侧形成凹槽；
漏极，呈条状且设置在所述有源层上，所述漏极的一部分位于所述凹槽内；
所述有源层位于所述源极及漏极之间的部分形成沟道，在垂直于所述栅极的方向，所述栅极的投影完全覆盖所述有源层的投影，所述有源层的投影完全覆盖所述源极的投影，所述有源层在所述衬底基板上的投影轮廓与所述栅极在所述衬底基板上的投影轮廓的距离各处相等且取值范围为2～5微米。
10.一种显示装置，其特征在于：包括显示面板，所述显示面板包括如权利要求1～9任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
