[实用新型]MEMS封装结构及晶圆级MEMS封装结构有效
申请号: | 201822037983.2 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN209583628U | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装结构 微结构 重新布线层 晶圆级 塑封材料 电连接 晶圆 本实用新型 电连接结构 密封腔结构 上表面 焊垫 密封 焊料凸块 封装 损伤 | ||
1.一种晶圆级MEMS封装结构,其特征在于,所述晶圆级MEMS封装结构包括:
MEMS晶圆,所述MEMS晶圆包括若干个MEMS芯片,所述MEMS芯片的正面形成有连接焊垫及机械微结构;
若干个密封腔结构,位于所述MEMS芯片的正面,且设置于所述机械微结构的外围,以将各所述机械微结构分别密封,所述机械微结构与所述密封腔结构之间具有间隙;
塑封材料层,位于所述MEMS晶圆的表面,且将所述连接焊垫及所述密封腔结构全部塑封;
重新布线层,位于所述塑封材料层的上表面;
若干个电连接结构,位于所述塑封材料层内,且分别位于各所述MEMS芯片的两侧,所述电连接结构的底部与所述连接焊垫电连接,所述电连接结构的顶部与所述重新布线层电连接;
焊料凸块,位于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆级MEMS封装结构,其特征在于,所述密封腔结构的材料与所述MEMS晶圆的材料相同。
3.根据权利要求1所述的晶圆级MEMS封装结构,其特征在于,所述电连接结构的顶部高于所述密封腔结构的顶部。
4.根据权利要求1所述的晶圆级MEMS封装结构,其特征在于,所述电连接结构包括金属引线或金属柱。
5.一种MEMS封装结构,其特征在于,所述MEMS封装结构包括:
MEMS芯片,所述MEMS芯片的正面形成有连接焊垫及机械微结构;
密封腔结构,位于所述MEMS芯片的正面,且位于所述机械微结构的外围,以将所述机械微结构密封,所述机械微结构与所述密封腔结构之间具有间隙;
塑封材料层,位于所述MEMS芯片的正面,且将所述连接焊垫及所述密封腔结构塑封;
重新布线层,位于所述塑封材料层的上表面;
电连接结构,位于所述塑封材料层内,所述电连接结构的底部与所述连接焊垫电连接,所述电连接结构的顶部与所述重新布线层电连接;
焊料凸块,位于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接。
6.根据权利要求5所述的MEMS封装结构,其特征在于,所述密封腔结构的材料与所述MEMS芯片的材料相同。
7.根据权利要求5所述的MEMS封装结构,其特征在于,所述电连接结构的顶部高于所述密封腔结构的顶部。
8.根据权利要求5所述的MEMS封装结构,其特征在于,所述电连接结构包括金属引线或金属柱。
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