[实用新型]一种双金属层环形叉指电极倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201822024700.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN208938994U | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吕家将;江铃;吴毅;蒋晓刚;王文超 | 申请（专利权）人： | 九江职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 郑州科硕专利代理事务所(普通合伙) 41157 | 代理人： | 侯立曼 |
| 地址： | 332005 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 环形带 倒装LED芯片 本实用新型 电流扩展层 绝缘隔离层 等距分布 双金属层 环形叉 同心 电流扩展性能 环形叉指结构 电极周边 电流聚集 发光效率 交替布置 自由配置 成品率 发光层 衬底 减小 封装 | ||
1.一种双金属层环形叉指电极倒装LED芯片，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，其特征在于，在p型半导体层上设有与p型半导体层电性连接的电流扩展层，在电流扩展层上设有与电流扩展层绝缘连接的第一绝缘隔离层，在第一绝缘隔离层上划分有同心等距分布的多个n极环形带和同心等距分布的多个p极环形带，所述n极环形带和p极环形带交替布置而形成环形叉指结构；
在n极环形带区域绕周向均匀设有多个n极通孔，所述n极通孔自上而下延伸至n型半导体层，在n极通孔内壁上设有绝缘隔离壁；在p极环形带区域绕周向均匀设有多个p极通孔，所述p极通孔自上而下延伸至电流扩展层；
在第一绝缘隔离层上设有第一金属层，所述第一金属层均填充n极通孔和p极通孔，在第一金属层上相邻n极环形带和p极环形带之间均设有绝缘隔离槽而形成绝缘交替布置的环形n电极和环形p电极；
在第一金属层上设有第二绝缘隔离层，在第二绝缘隔离层的左半部分对应每个环形n电极均设有n极互连孔，n极互连孔自上而下延伸至相对应的环形n电极；在第二绝缘隔离层的右半部分对应每个环形p电极均设有p极互连孔，p极互连孔自上而下延伸至相对应的环形p电极；全部的n极互连孔电性连接后形成n电极焊盘，全部的p极互连孔电性连接后形成p电极焊盘。
2.根据权利要求1所述的双金属层环形叉指电极倒装LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘隔离层为半导体分布式布拉格反射镜，所述第二绝缘隔离层材质为二氧化硅、氮化铝或者氮化硅。
3.根据权利要求1所述的双金属层环形叉指电极倒装LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层材质均为二氧化硅、氮化铝或者氮化硅。
4.根据权利要求1所述的双金属层环形叉指电极倒装LED芯片，其特征在于，所述电流扩展层材质为透明导电材料。
5.根据权利要求1至4任一项所述的双金属层环形叉指电极倒装LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘隔离层与绝缘隔离壁为一体成型。
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