[实用新型]烘干槽及湿法刻蚀机有效
申请号: | 201821916672.7 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN208923046U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 杨健;费正洪 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 224400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 风机 烘干 烘干槽 上滚轮 下滚轮 吹出 湿法刻蚀 槽体 本实用新型 产品合格率 方向移动 滚轮印 施力 承载 降级 驱动 | ||
本实用新型揭示了一种烘干槽,及包括该烘干槽的湿法刻蚀机,所述烘干槽包括槽体、设置在所述槽体中的用于承载硅片的下滚轮,所述下滚轮驱动所述硅片沿硅片前进方向移动,所述烘干槽还包括分别设置在所述下滚轮两侧的烘干上风机和烘干下风机,所述烘干上风机吹出的风直接吹向所述硅片。由于烘干上风机吹出的风直接吹向硅片,也就是说,烘干上风机与硅片之间没有上滚轮以及其它部件,可以避免烘干上风机吹出的风经过上滚轮及其它部件后吹向硅片,从而避免上滚轮及其它部件对硅片施力而造成的滚轮印、碎片等不良降级,从而提高产品合格率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能应用设备技术领域,特别涉及一种烘干槽,及包括该烘干槽的湿法刻蚀机。
背景技术
随着世界范围内能源危机的爆发,风压和太阳能等可再生能源得到越来越广泛的应用,从而带动了可再生能源发电系统的蓬勃发展。在众多的可再生能源中,太阳能分布较为广泛,且从我国的地理分布情况来看,我国大部分地区的太阳能辐射量都比较丰富,因此,太阳能的开发和应用更为便捷。
光伏发电系统是人们利用太阳能的一种主要方式,其主要部件是太阳能电池。太阳能电池是由硅片经过表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷烧结等工艺过程制备而成。其中,刻蚀工艺是太阳能电池片制造过程中的一个重要工序,目的是去除硅片下表面及四个侧面的PN结,以达到上下表面绝缘的目的,同时去除上表面的磷硅玻璃层。
当前太阳能电池制造时常用的一种刻蚀方法是湿法刻蚀,通过化学试剂腐蚀掉硅片下表面及四个侧面的PN结和磷硅玻璃层,湿法刻蚀机为太阳能电池湿法刻蚀的重要设备。
目前,所使用的湿法刻蚀机主要包括机体,所述机体上设置有用于输送硅片的输送滚轮,在输送滚轮的下方沿硅片的移动方向依次设置有刻蚀槽、碱洗槽、清洗槽、烘干槽。请参见图1,现有技术中,湿法刻蚀机台的烘干槽,包括槽体、设置在槽体中的用于承载硅片200的下滚轮20,与下滚轮20间隔一定距离设置的上滚轮10,硅片200夹在上滚轮10和下滚轮20之间,下滚轮20驱动硅片200沿硅片前进方向移动,烘干槽还包括设置在上滚轮10上侧的烘干上风机30、设置在下滚轮20下侧的烘干下风机40,烘干上风机30和烘干下风机40的风向均垂直于硅片前进方向,当烘干槽运行时,硅片200的PN面均会受到上下风机的较大风压,硅片200会大幅度抖动,烘干上风机30吹出的风经过上滚轮10吹向硅片200,上滚轮10会对硅片200施力而按压硅片200,容易导致了滚轮印、碎片等不良降级。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种烘干槽,该烘干槽可以有效避免硅片在烘干槽抖动,减少滚轮印/碎片等不良降级。
为实现上述实用新型目的,本实用新型提供一种烘干槽,包括槽体、设置在所述槽体中的用于承载硅片的下滚轮,所述下滚轮驱动所述硅片沿硅片前进方向移动,所述烘干槽还包括分别设置在所述下滚轮两侧的烘干上风机和烘干下风机,其特征在于:所述烘干上风机吹出的风直接吹向所述硅片。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述烘干下风机吹出的风向相对所述硅片前进方向倾斜并与硅片前进方向相反。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述烘干下风机的吹出的风向与所述硅片前进方向的夹角在30度至45度之间。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述烘干下风机吹出的风向可以分解为第一风向和第二风向,所述第一风向垂直于所述硅片前进方向,所述第二风向与硅片前进方向相反。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述第二风向的风压大于所述第一风向的风压。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述烘干上风机吹出的风向垂直于所述硅片前进方向,所述第一风向与所述烘干上风机的风向相反,所述烘干上风机的风压大于所述第一风向的风压。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,沿靠近所述烘干上风机的方向,所述烘干下风机的出风口面积逐渐增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造