[实用新型]烘干槽及湿法刻蚀机有效
| 申请号： | 201821916672.7 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN208923046U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杨健;费正洪 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 224400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 风机 烘干 烘干槽 上滚轮 下滚轮 吹出 湿法刻蚀 槽体 本实用新型 产品合格率 方向移动 滚轮印 施力 承载 降级 驱动 | ||
1.一种烘干槽，包括槽体、设置在所述槽体中的用于承载硅片的下滚轮，所述下滚轮驱动所述硅片沿硅片前进方向移动，所述烘干槽还包括分别设置在所述下滚轮两侧的烘干上风机和烘干下风机，其特征在于：所述烘干上风机吹出的风直接吹向所述硅片。
2.根据权利要求1所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干下风机吹出的风向相对所述硅片前进方向倾斜并与硅片前进方向相反。
3.根据权利要求2所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干下风机的吹出的风向与所述硅片前进方向的夹角在30度至45度之间。
4.根据权利要求2所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干下风机吹出的风向可以分解为第一风向和第二风向，所述第一风向垂直于所述硅片前进方向，所述第二风向与硅片前进方向相反。
5.根据权利要求4所述的烘干槽，其特征在于：所述第二风向的风压大于所述第一风向的风压。
6.根据权利要求4所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干上风机吹出的风向垂直于所述硅片前进方向，所述第一风向与所述烘干上风机的风向相反，所述烘干上风机的风压大于所述第一风向的风压。
7.根据权利要求2所述的烘干槽，其特征在于：沿靠近所述烘干上风机的方向，所述烘干下风机的出风口面积逐渐增大。
8.根据权利要求1所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干上风机的风量大于所述烘干下风机的风量。
9.根据权利要求8所述的烘干槽，其特征在于：所述烘干上风机的数量大于所述烘干下风机的数量，所述烘干下风机设置在两个烘干上风机之间。
10.一种湿法刻蚀机，其特征在于：所述湿法刻蚀机包括权利要求1至9任一所述的烘干槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
