[实用新型]一种硅片电注入退火装置有效
申请号: | 201821910579.5 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN209232729U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 李润飞;赵京通;贾世涛;王宗江;李维琛 | 申请(专利权)人: | 河北晶龙阳光设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;C30B33/04;C30B29/06 |
代理公司: | 石家庄德皓专利代理事务所(普通合伙) 13129 | 代理人: | 杨瑞龙 |
地址: | 055550 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 下电极机构 电极机构 反应仓 本实用新型 电极横梁 退火装置 电注入 花篮 上电极组件 风冷机构 活动悬吊 输送机构 向下推动 向下运动 直流电源 左右两侧 仓门 夹持 开合 托起 传送 支撑 | ||
本实用新型涉及一种硅片电注入退火装置,其包括左右两侧设置有能够开合供载有硅片的花篮出入的仓门的反应仓,用于支撑和传送载有硅片的花篮出入所述反应仓的输送机构,上电极机构,下电极机构,分别连接所述上电极机构和下电极机构的直流电源,以及给反应仓内降温的风冷机构。本实用新型下电极机构能够将硅片托起,上电极机构在向下推动的时候由于是活动悬吊在上电极横梁板上的,因此当其压在硅片上的时候,上电极横梁板的向下运动就不会继续影响到上电极组件,因此上电极机构和下电极机构能够对硅片实施合理的夹持,不会对硅片造成破坏。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片加工设备领域,尤其涉及一种硅片电注入退火装置。
背景技术
电池片一般分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅 单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池,它的构造和生产工艺已定型,产品已广泛用于空间和地面。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料。将单晶硅棒切成片,一般片厚约0.3毫米。硅片经过抛磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片。硅片(电池片)中含有氧,氧有吸取杂质的作用,对硅片进行退火处理,能够促进存留于硅中的氧向外扩散,在硅片表面形成低氧环境(洁净区),从而减少甚至能够消除由氧造成的晶体缺陷,有利于后期器件制造,硅片退火能够对其电阻率及少子寿命造成影响。另外,光致衰减(LID)是指太阳能电池及组件在光照过程中引起的功率衰减现象。为了提高电池效率,目前研发出了PERC(钝化发射极及背局域接触电池)高效电池,但经过实践发现,如果不对成品电池进行处理,高效电池的LID现象会减小电池的效率增益,降低电池片的转换效率。针对上述缺陷,现在多采用退火处理,但发现在硅片退火过程中如保持其处于通电状态,能够使得硅片的退火效果更好,具备更优越的性能,但目前还没有硅片退火设备对此制造出相应的装置,且电池片退火时很难保证整体的温度一致性,因此急需一种可靠工作的硅片退火设备来解决这一问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种硅片电注入退火装置。
为解决上述问题,本实用新型所采取的技术方案是:
一种硅片电注入退火装置,其关键技术在于,其包括:
反应仓,其左右两侧设置有能够开合供载有硅片的花篮出入的仓门;
输送机构,用于支撑和传送载有硅片的花篮出入所述反应仓;
上电极机构,其包括固定设置的上电极气缸、与上电极气缸的气缸杆固定的上电极横梁板、悬挂设置在所述上电极横梁板两端的两个上电极拉杆以及固定设置在两所述上电极拉杆下端的上电极组件,所述上电极组件位于所述反应仓内,所述上电极拉杆通过反应仓顶部的孔与上电极组件连接,所述上电极拉杆上端穿设在所述上电极横梁板上,上电极拉杆上端通过螺母活动吊挂在上电极横梁板上;
下电极机构,其包括固定设置的下电极气缸以及与所述下电极气缸的气缸杆固定连接的下电极组件,所述下电极组件位于所述上电极组件的正下方,下电极机构能够将花篮中的硅片顶起,使硅片被夹持在下电极机构和上电极机构之间进行电注入;
直流电源,其分别连接所述上电极组件和下电极组件;
风冷机构,其包括设置在所述反应仓前后两侧的壁板上的吹风阀及设置在所述反应仓顶部的排风管。
作为本实用新型的进一步改进,所述输送机构包括设置在所述反应仓下部前后两侧的两排输送轴、电机减速机构和传动轴,所述输送轴位于反应仓外部的一端设置有第三同步带轮,位于反应仓内部的另一端用于支撑和输送载有硅片的花篮;所述电机减速机构4的输出轴上设置输出轮,所述传动轴中部设置有与所述输出轮相对应的第一同步带轮,传动轴两端设置有与两排第三同步带轮相对应的第二同步带轮,所述输出轮通过第一同步带与所述第一同步带轮传动连接,所述第二同步带轮通过第二同步带与对应侧的第三同步带轮传动连接。
作为本实用新型的进一步改进,所述第三同步带轮之间设置有用于张紧所述第二同步带的涨紧轮。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造