[实用新型]一种硅片电注入退火装置有效
申请号: | 201821910579.5 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN209232729U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 李润飞;赵京通;贾世涛;王宗江;李维琛 | 申请(专利权)人: | 河北晶龙阳光设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;C30B33/04;C30B29/06 |
代理公司: | 石家庄德皓专利代理事务所(普通合伙) 13129 | 代理人: | 杨瑞龙 |
地址: | 055550 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 下电极机构 电极机构 反应仓 本实用新型 电极横梁 退火装置 电注入 花篮 上电极组件 风冷机构 活动悬吊 输送机构 向下推动 向下运动 直流电源 左右两侧 仓门 夹持 开合 托起 传送 支撑 | ||
1.一种硅片电注入退火装置,其特征在于,其包括:
反应仓(1),其左右两侧设置有能够开合供载有硅片的花篮出入的仓门(15);
输送机构,用于支撑和传送载有硅片的花篮出入所述反应仓(1);
上电极机构,其包括固定设置的上电极气缸(17)、与上电极气缸(17)的气缸杆固定的上电极横梁板(18)、悬挂设置在所述上电极横梁板(18)两端的两个上电极拉杆(22)以及固定设置在两所述上电极拉杆(22)下端的上电极组件(23),所述上电极组件(23)位于所述反应仓(1)内,所述上电极拉杆(22)通过反应仓(1)顶部的孔与上电极组件(23)连接,所述上电极拉杆(22)上端穿设在所述上电极横梁板(18)上,上电极拉杆(22)上端通过螺母活动吊挂在上电极横梁板(18)上;
下电极机构,其包括固定设置的下电极气缸(24)以及与所述下电极气缸(24)的气缸杆固定连接的下电极组件(25),所述下电极组件(25)位于所述上电极组件(23)的正下方,下电极机构能够将花篮中的硅片顶起,使硅片被夹持在下电极机构和上电极机构之间进行电注入;
直流电源(3),其分别连接所述上电极组件(23)和下电极组件(25);
风冷机构,其包括设置在所述反应仓(1)前后两侧的壁板上的吹风阀(2)及设置在所述反应仓(1)顶部的排风管(19)。
2.根据权利要求1所述的一种硅片电注入退火装置,其特征在于,所述输送机构包括设置在所述反应仓(1)下部前后两侧的两排输送轴(14)、电机减速机构(4)和传动轴(6),所述输送轴(14)位于反应仓(1)外部的一端设置有第三同步带轮(12),位于反应仓(1)内部的另一端用于支撑和输送载有硅片的花篮;所述电机减速机构(4)的输出轴上设置输出轮(5),所述传动轴(6)中部设置有与所述输出轮(5)相对应的第一同步带轮(7),传动轴(6)两端设置有与两排第三同步带轮(12)相对应的第二同步带轮(10),所述输出轮(5)通过第一同步带(8)与所述第一同步带轮(7)传动连接,所述第二同步带轮(10)通过第二同步带(11)与对应侧的第三同步带轮(12)传动连接。
3.根据权利要求2所述的一种硅片电注入退火装置,其特征在于,所述第三同步带轮(12)之间设置有用于张紧所述第二同步带(11)的涨紧轮(13)。
4.根据权利要求1所述的一种硅片电注入退火装置,其特征在于,所述吹风阀(2)呈矩形,其上设置有两个左右贯通的通道,其侧壁上设置有若干与所述通道相通的通孔,气流通过所述通孔分散均匀的吹入到反应仓(1)内,所述吹风阀(2)上设置有用于连接气源的通气管(2-1)。
5.根据权利要求1所述的一种硅片电注入退火装置,其特征在于,所述排风管(19)上设置有用于调节开度的调节阀门(20)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北晶龙阳光设备有限公司,未经河北晶龙阳光设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821910579.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种石英扩散炉用保温桶
- 下一篇:一种用于Al2O3陶瓷基片的冲压抹灰一体机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造