[实用新型]具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置

说明书

本实用新型提供一种具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，包括：工艺腔室，利用供应的工艺气体对晶片进行加工处理；送气管道，与所述工艺腔室相连通，用于送入待进行加工用的所述工艺气体；排气管道，与所述工艺腔室相连通，用于排出进行加工处理后的排出气体；以及干式泵，通过所述排气管道与所述工艺腔室相连接，用于抽吸从所述工艺腔室排出的排出气体，其特征在于，包括：自等离子体发射光谱仪，设置于所述排气管道，利用由等离子体产生的光来分析并监控所述工艺腔室内的加工过程；以及发射光谱仪控制部，与所述自等离子体发射光谱仪进行接口连接，对所述自等离子体发射光谱仪中分散的所述排出气体的光谱进行分析并输出发射光谱数据。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造装置，尤其是涉及一种具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置。

背景技术

一般而言，半导体制造装置在晶片上选择性且反复地执行扩散、蒸镀、显影、蚀刻、离子注入等工艺来进行加工处理。在这样的制造工艺中，蚀刻、扩散、蒸镀工艺等在密闭的工艺腔室内在规定的氛围下投入工艺气体，从而在工艺腔室内的晶片上发生反应。例如，用于形成薄膜的蒸镀工艺利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方法或者等离子体强化化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)方法等来执行。

图1是示出现有技术的用于进行CVD工艺处理的半导体制造装置的概略结构图。

参照图1，现有技术的用于进行CVD工艺处理的半导体制造装置100包括：工艺腔室102，利用供应的工艺气体对放置于卡盘103上的晶片W进行加工处理；送气管道101，与所述工艺腔室102相连通，用于送入待进行CVD处理的工艺气体；排气管道106，与所述工艺腔室102相连通，用于排出进行加工处理后的排出气体；以及干式泵104，通过所述排气管道106与所述工艺腔室102相连接，用于抽吸从所述工艺腔室102排出的排出气体。

附图中未说明的附图标记108是角阀。

在这样的半导体工艺中，为了提高收率而预先防止工艺中发生的事故并预先防止设备的误操作等，需要实时监控工艺的状态，并在发生异常状态时采取中断工艺等措施来降低不良率，从而使进行的半导体工艺最优化。

但是，在现有技术中，进行CVD工艺处理的半导体制造装置100在工艺腔体内进行CVD处理等加工处理的过程中，无法对不良状态(空气泄漏(air leak)、原材料(source)变质、污染(contamination)、除气(outgassing)等)进行监控，从而无法有效应对工艺处理过程中发生的不良，并由此给半导体的CVD工艺处理带来不必要的生产损失。

实用新型内容

本实用新型为了解决上述的技术问题而提出，本实用新型的目的在于提供一种具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，通过实时监控半导体的CVD工艺处理中发生的不良或异常情况，能够预防不良的发生及发生不良时的损失最小化。

本实用新型所要解决的技术问题并不限定于以上提及到的技术问题，本领域的技术人员能够通过以下的记载明确理解未被提及的其他技术问题。

本实用新型的优选实施例的具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，包括：工艺腔室，利用供应的工艺气体对晶片进行加工处理；送气管道，与所述工艺腔室相连通，用于送入待进行加工用的所述工艺气体；排气管道，与所述工艺腔室相连通，用于排出进行加工处理后产生的排出气体；以及干式泵，通过所述排气管道与所述工艺腔室相连接，用于抽吸从所述工艺腔室排出的所述排出气体，其特征在于，包括：自等离子体发射光谱仪，设置于所述排气管道，利用由等离子体产生的光来分析并监控所述工艺腔室内的加工过程；以及发射光谱仪控制部，与所述自等离子体发射光谱仪进行接口连接，对所述自等离子体发射光谱仪中分散的所述排出气体的光谱进行分析并输出发射光谱数据。