[实用新型]一种外保温可旋转的碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 201821809101.3 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209144317U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 宁秀秀;高超;梁晓亮;李霞;宗艳民;李长进;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 赵长林 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶生长装置 碳化硅单晶 生长装置 保温装置 可旋转的 外保温 保护气装置 碳化硅晶体 固定设置 晶格错位 整体费用 制备 申请 自动化 | ||
1.一种外保温可旋转的碳化硅单晶生长装置，包括：单晶生长装置、设在单晶生长装置外的保温装置、与单晶生长装置相连的保护气装置，其特征在于，所述单晶生长装置固定设置，所述保温装置可围绕单晶生长装置进行旋转。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，在保温装置外设有加热装置，所述保温装置完全包裹住单晶生长装置，所述加热装置包括用于原料加热的第一加热装置和/或用于籽晶加热的第二加热装置。
3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述单晶生长装置为石墨坩埚。
4.根据权利要求2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述保温装置包括设在单晶生长装置侧部的外部保温层、设在单晶生长装置顶部的顶部保温层、以及设在单晶生长装置底部的底部保温层，所述外部保温层外侧设有加热装置，所述外部保温层与加热装置固连或活动设置，所述外部保温层下设有一用于外部保温层旋转的旋转机构。
5.根据权利要求2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述保温装置包括设在单晶生长装置侧部的外部保温层、设在单晶生长装置顶部的顶部保温层、以及设在单晶生长装置底部的底部保温层，所述外部保温层外侧设有加热装置，所述外部保温层与加热装置固连或活动设置，所述外部保温层、顶部保温层以及底部保温层固连设置，所述外部保温层下设有一用于保温装置旋转的旋转机构。
6.根据权利要求4所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述旋转机构包括与外部保温层相连的若干保温支架，在保温支架外设有一环形外齿轮，一与动力机构相连的主动齿轮与环形外齿轮啮合相连；所述保温支架为石墨材料，所述主动齿轮与环形外齿轮为镀钨或镀钽或钨或钽材料。
7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，还包括一法兰盘，在法兰盘上固设一坩埚支架，所述保温装置设在坩埚支架上；所述动力机构包括设在法兰盘下的电机，电机的主动轴通过磁流体密封装置与主动齿轮相连，在法兰盘下部电机的主动轴上设有一接触式密封机构。
8.根据权利要求4所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述顶部保温层中部设有通孔。
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