[实用新型]一种镀膜设备沉积腔室和一种镀膜设备

说明书

本实用新型公开一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备，沿第一预设方向，在底板上设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在底板上设置非金属蒸发源的排数为Q排；位于Q排的首端的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于Q排的末端的M‑P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；第一组非金属蒸发源中各排首端非金属蒸发源中心点的连线与末端非金属蒸发源的中心店的连线平行；第二组非金属蒸发源中至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离。本方案，可形成的大小合适、厚度均匀且性能良好的CIGS膜，从而使得形成的太阳能电池具有较高的发电效率，有效满足用电需求。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池衬底镀膜设备领域，尤其涉及一种镀膜设备沉积腔室和一种镀膜设备。

背景技术

在基板上附着CIGS(CuIn_xGa_(1-x)Se₂的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒))膜，以形成太阳能电池，方可使太阳能电池具有将太阳能转化为电能的功能。

现有技术方案中主要采用磁控溅射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太阳能电池的方法，该方法主要是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下高速运动进而轰击作为阴极的靶，使作为阴极的靶中的原子或分子从原有物质中逃逸出来进而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可将太阳能转化为电能的薄膜。采用该磁控溅射方法形成的薄膜与基板有较好的附着性，且形成的薄膜的密度较高。

然而，磁控溅射方法是采用环状磁场控制下的辉光放电，其成膜速率差且磁控溅射的设备需要高压装置，导致设备复杂昂贵，不利于大规模生产太阳能电池。除此之外，通过磁控溅射形成的CIGS薄膜厚度不均匀，质量较差，由此导致太阳能电池的性能较差，发电效率较低。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种镀膜设备沉积腔室，以解决现有技术中缺少一种形成的CIGS膜厚度均匀、具有高发电效率的镀膜设备沉积腔室的技术问题。

根据本实用新型提供的一种镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，沿第一预设方向，在所述底板上设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；位于所述Q排的首端的的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M-P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；所述第一组非金属蒸发源中各排首端非金属蒸发源的中心点的连线与末端非金属蒸发源的中心店的连线平行设置；所述第二组非金属蒸发源中至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，Q为大于等于3小于等于6的整数，P为大于等于1小于等于M-1的整数。如此，可有效满足在衬底的表面沉积大小合适、厚度均匀且性能良好的CIGS膜的需求，有效保障了太阳能电池的高发电效率及高成成品率。

在本实用新型实施例中，

沿所述底板的长度方向，设置Q排所述非金属蒸发源，沿所述宽度方向，所述第一组蒸发源中的Q排非金属蒸发源一一对齐设置，有效保障了非金属蒸发源的排布的整齐性；使得非金属蒸发源在底板上的排布较为整齐，便于后期维护。而第二组非金属蒸发源中至少有一排非金属蒸发源朝所述底板的一个宽度所在的边错位预设距离，有效保障了根据实际需求设定底板上不同区域的非金属蒸发源的密度，有效保障了生成厚度均匀、性能良好的CIGS膜，进而有效保障了生成高发电效率的太阳能电池。

在一个实施例中，所述第一组蒸发源中的Q排非金属蒸发源对齐设置，可使得非金属蒸发源在底板上的排布相对较为均匀，从而在满足沉积形成的CIGS膜较为均匀的基础上，有效保障非金属蒸发源在底板上的排布较为整齐，便于后期维护。