[实用新型]一种镀膜设备沉积腔室和一种镀膜设备

权利要求书

1.一种镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，沿第一预设方向，在所述底板上设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；

位于所述Q排的首端的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M-P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；

所述第一组非金属蒸发源中各排首端非金属蒸发源的中心点的连线与末端非金属蒸发源的中心店的连线平行设置；

所述第二组非金属蒸发源中至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离；

其中，M为大于等于8小于等于15的整数，Q为大于等于3小于等于6的整数，P为大于等于1小于等于M-1的整数。

2.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，沿所述底板的长度方向，设置Q排所述非金属蒸发源，沿所述宽度方向，所述第一组蒸发源中的Q排非金属蒸发源一一对齐设置。

3.根据权利要求2所述的沉积腔室，其特征在于，所述第一组中的相邻两排非金属蒸发源中，一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源较另一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源在长度方向上错位预设距离。

4.根据权利要求2所述的沉积腔室，其特征在于，所述Q排非金属蒸发源中，相邻两排非金属蒸发源之间的间距相同或不同。

5.根据权利要求2所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，当Q大于等于4时，所述第二组金属蒸发源中，至少包括两排相邻且在宽度方向上一一对齐设置的两排非金属蒸发源。

6.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底板的直线的倾斜角度均为20-45度。

7.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底板的直线的倾斜角度均为0-60度。

8.根据权利要求1-7任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源。

9.根据权利要求1-7任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源与Ga蒸发源的总数量为N对，其中P为大于等于8小于等于15的整数。

10.一种镀膜设备，其特征在于，包括上述任一项镀膜设备沉积腔室。