[实用新型]具有薄膜晶体管器件的集成装置、显示装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 201821680859.1 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN208848906U 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 王文轩;沈健 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L27/32;G02F1/1368
代理公司: 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 代理人: 孙涛;毛威
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管器件 集成装置 基底 槽状结构 连接线 显示装置 芯片 电子设备提供 外部连接端子 有效工作面积 薄膜晶体管 电子设备 向下延伸 芯片集成 芯片占用 上表面 申请
【说明书】:

提供了一种具有薄膜晶体管器件的集成装置、显示装置及电子设备。所述集成装置包括:基底、芯片和薄膜晶体管器件;所述薄膜晶体管器件设置在所述基底的上方;其中,所述基底的上表面向下延伸形成有槽状结构,所述槽状结构内设置有至少一条连接线,所述芯片设置在所述槽状结构内,并通过所述至少一条连接线与所述薄膜晶体管器件连接。本申请实施例提供的集成装置,通过基底和薄膜晶体管器件形成薄膜晶体管(TFT),并进一步地,使得用于控制TFT的芯片集成在TFT的基底内,不仅避免了芯片占用TFT的有效工作面积,同时还能够大幅度减少集成装置的外部连接端子,进而有效简化了集成装置的整体结构。

技术领域

本申请实施例涉及电子领域,并且更具体地,涉及具有薄膜晶体管器件的集成装置、显示装置及电子设备。

背景技术

目前,由于将薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)制作在液晶面板中,可以减少各像素间的互相干扰并提升画面的稳定度。进一步地,采用非硅基底(如玻璃基底,有机高分子基底等)的TFT技术能够从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题。此外,由于TFT技术也能够实现大面积生产、规模化生产以及电路器件一体化生产(例如,可以一体形成驱动电路区域和像素区域)。因此,TFT技术被广泛应用于平板显示以及平面光电传感器等领域。

但是,由于TFT工艺本身的局限性,使得TFT的线宽、工作速度等性能都不及集成电路。因此,在进行TFT阵列的驱动以及信号读取的工作时需要外接相应的集成电路(Integrated Circuit,IC)芯片。通常TFT阵列与IC芯片通过柔性电路板(FlexiblePrinted Circuit,FPC)进行连接,然后再通过FPC和PCB等的电气连接部件连接至外部分立器件。例如,电源部件等。

具体地,TFT阵列的每行与每列都需要与IC芯片进行连接,假如共有200*200个像素单元(一般显示器件远远大于此数值),至少有400个端子要与IC芯片进行连接,因此,TFT阵列在与IC芯片之间的连接会占用过大的空间,同时需要大量FPC作为连接介质,降低了整个系统结构中显示或探测的有效面积,使得液晶面板的内部结构臃肿繁杂。

因此,如何精简化、小型化TFT阵列在与IC芯片之间的连接是本领域当前急需解决的技术问题。

实用新型内容

提供了一种具有薄膜晶体管器件的集成装置及其制备方法,能够精简化、小型化TFT阵列在与IC芯片之间的连接。

第一方面,提供了一种包括薄膜晶体管器件的集成装置,包括:

基底、芯片和薄膜晶体管器件;

所述薄膜晶体管器件设置在所述基底的上方;

其中,所述基底的上表面向下延伸形成有槽状结构,所述槽状结构内设置有至少一条连接线,所述芯片设置在所述槽状结构内,并通过所述至少一条连接线与所述薄膜晶体管器件连接。

在一些可能的实现方式中,所述薄膜晶体管器件至少覆盖所述槽状结构的开口。

在一些可能的实现方式中,所述芯片的厚度小于或等于所述槽状结构的深度。

在一些可能的实现方式中,所述槽状结构的深度大于100微米um。

在一些可能的实现方式中,所述槽状结构的侧面与所述槽状结构的下表面形成的角度大于预设角度。

在一些可能的实现方式中,所述至少一条连接线采用的材料为以下材料中的任一种:

钼-铝-钼Mo-Al-Mo结构金属材料,钛-铝-钛Ti-Al-Ti结构金属材料、导电玻璃材料和金属材料。

在一些可能的实现方式中,所述芯片通过导电胶与所述至少一条连接线相连。

在一些可能的实现方式中,所述芯片设置有至少一个焊盘。

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