[实用新型]具有薄膜晶体管器件的集成装置、显示装置及电子设备有效
| 申请号： | 201821680859.1 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN208848906U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王文轩;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 孙涛;毛威 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管器件 集成装置 基底 槽状结构 连接线 显示装置 芯片 电子设备提供 外部连接端子 有效工作面积 薄膜晶体管 电子设备 向下延伸 芯片集成 芯片占用 上表面 申请 | ||
1.一种包括薄膜晶体管器件的集成装置，其特征在于，包括：
基底、芯片和薄膜晶体管器件；
所述薄膜晶体管器件设置在所述基底的上方；
其中，所述基底的上表面向下延伸形成有槽状结构，所述槽状结构内设置有至少一条连接线，所述芯片设置在所述槽状结构内，并通过所述至少一条连接线与所述薄膜晶体管器件连接。
2.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述薄膜晶体管器件至少覆盖所述槽状结构的开口。
3.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述芯片的厚度小于或等于所述槽状结构的深度。
4.根据权利要求3所述的集成装置，其特征在于，所述槽状结构的深度大于100微米um。
5.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述槽状结构的侧面与所述槽状结构的下表面形成的角度大于预设角度。
6.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述至少一条连接线采用的材料为以下材料中的任一种：
钼-铝-钼Mo-Al-Mo结构金属材料，钛-铝-钛Ti-Al-Ti结构金属材料、导电玻璃材料和金属材料。
7.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述芯片通过导电胶与所述至少一条连接线相连。
8.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述芯片设置有至少一个焊盘。
9.根据权利要求8所述的集成装置，其特征在于，所述芯片的下表面上设置有所述至少一个焊盘。
10.根据权利要求8所述的集成装置，其特征在于，所述芯片的上表面上设置有所述至少一个焊盘。
11.根据权利要求8所述的集成装置，其特征在于，所述至少一个焊盘和所述至少一条连接线一一对应。
12.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述芯片包括数据驱动芯片，所述数据驱动芯片通过所述至少一条连接线连接至所述薄膜晶体管器件内的电极层。
13.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述芯片包括扫描驱动芯片，所述扫描驱动芯片通过所述至少一条连接线连接至所述薄膜晶体管器件内的电极层。
14.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置还包括：
所述槽状结构内的填充材料，所述填充材料用于将所述芯片固定在所述槽状结构内。
15.根据权利要求14所述的集成装置，其特征在于，所述填充材料的热膨胀系数与所述基底的热膨胀系数的差值小于或等于预设阈值。
16.根据权利要求14所述的集成装置，其特征在于，所述填充材料和所述基底的材料为同一种材料。
17.根据权利要求14所述的集成装置，其特征在于，所述填充材料在固化前可流动。
18.根据权利要求14所述的集成装置，其特征在于，所述至少一条连接线设置在所述基底和所述填充材料之间。
19.根据权利要求14所述的集成装置，其特征在于，所述至少一条连接线设置在所述填充材料的上表面和所述槽状结构的上表面。
20.根据权利要求14所述的集成装置，其特征在于，所述填充材料完整填充所述槽状结构。
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