[实用新型]半导体晶圆处理设备及其顶针装置

说明书

本实用新型公开一种半导体晶圆处理设备及其顶针装置，涉及半导体制造技术领域。半导体反应腔晶圆顶针装置，包括：顶针通道；顶针，位于所述顶针通道内，所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域，其中，所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反；导电件，位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。通过本实用新型的实施例，只需要在第一环形区域和第二环形区域中导电的一个区域与导电件之间施加电压差，并检测该区域与导电件之间是否电导通即可判断出顶针的顶端是否完全缩入到顶针通道内，由此判断出顶针是否下降到位。

技术领域

本实用新型总体来说涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体晶圆处理设备及其顶针装置。

背景技术

在半导体生产加工工艺中，常常需要将晶圆输送到反应腔内进行加工。该反应腔可以是去光刻胶设备的反应腔。

为方便机械臂将晶圆输送到反应腔内的加热基板上，反应腔内还设置有竖直贯穿加热基板的多根顶针。晶圆传输到反应腔内的步骤为：顶针上升至顶端高于加热基板，机械臂托着晶圆并将晶圆放置在顶针的顶部；然后，机械臂缩回，顶针下降至晶圆的底面与加热基板的上表面完全相贴。

在实践中，顶针偶尔会下降不到位使得加热基板与晶圆之间存在间隙，这样会导致在后续制程工艺中加热基板对晶圆加热不均匀和加热不充分而导致最终产品不良。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本实用新型所要解决的一个技术问题为如何检测顶针的顶端是否下降到位。

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种半导体反应腔晶圆顶针装置，其包括：顶针通道；顶针，位于所述顶针通道内，所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域，其中，所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反；导电件，位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。

根据本实用新型的一个实施例，所述第一环形区域为绝缘区，所述第二环形区域为导电区。

根据本实用新型的一个实施例，所述第一环形区域为导电区，所述第二环形区域为绝缘区。

根据本实用新型的一个实施例，还包括检测单元，所述检测单元电连接所述导电区和所述导电件。

根据本实用新型的一个实施例，所述检测单元包括电源、电阻和电压传感器；所述电源与所述导电件相连，用于在所述导电件上施加电压；所述电阻与所述导电件或与所述顶针的导电区串联；所述电压传感器并联于所述电阻两端，用于检测所述电阻两端的电压，或所述电压传感器并联于所述导电区与所述导电件两端，用于检测所述导电区与所述导电件之间的电压。

根据本实用新型的一个实施例，所述检测单元包括电源、电阻和电流传感器；所述电源与所述导电件相连，用于在所述导电件上施加电压；所述电阻与所述导电件或与所述顶针的导电区串联；所述电流传感器与所述电阻串联，用于检测通过所述电阻的电流大小。

根据本实用新型的一个实施例，所述导电件为滚轮环，所述滚轮环安装于所述顶针通道的内侧壁中。

根据本实用新型的一个实施例，所述顶针的横截面为圆形、方形、或者具有与所述滚轮环突出于所述顶针通道内壁部分对应的凹陷。