[实用新型]一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构

说明书

本实用新型公开了一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构，所述光敏传感芯片结构包括芯片本体，所述芯片本体上设置第一光敏二极管和第二光敏二极管；还包括第一PMOS管和第二PMOS管；其中，所述第一光敏二极管的受光照区域覆盖遮光件；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接于正极，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相接；所述第一PMOS管的漏极与栅极相接、同时与第一光敏二极管的负极相接；所述第二PMOS管的漏极与第二光敏二极管的负极相接、同时接入电流放大器的输入端，该电流放大器的输出端即为信号输出端；所述第一光敏二极管的正极与所述第二光敏二极管的正极均接地。

技术领域

本实用新型涉及一种芯片结构，尤其涉及一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构。

背景技术

光敏器件作为一种光学传感元件，与发光管配合，可以实现电/光、光/电的相互转换，正越来越多的被应用到智能穿戴、智能控制、物联网等场合。

常见的光敏元件有光敏电阻、光电二极管、光电三极管。光敏电阻因其阻值对光的变化灵敏度高、成本低，被市场广泛使用。但由于光敏电阻含有硫化物、硒化物、碲化物等，这些材料是现在欧盟新规中都不能含有的有毒物质，因此，光敏电阻的市场逐渐被光敏二极管和光敏三极管替代。

光敏二极管和光敏三极管是在硅基上制作，其PN结在光照下本征激发产生光电流，从而实现光电转换。光敏二极管的缺点是灵敏度较低，光敏三极管对光电流有放大作用，因此灵敏度很高。但是，光敏二极管、光敏三极管共同的缺陷是暗电流在温度升高时会急剧上升。

由于市场越来越要求光电器件微型化、集成化，越来越多的应用场合需要微型表面贴装的光电器件，而实践表明，光电二极管、光电三极管采用微型表面贴装封装时，随着基板的温度升高，内部芯片的工作温度也升高，当温度超过60℃时，漏电流高至几个微安～几十微安，极易引起误操作。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术的弊端，提供一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构。

本实用新型所述的适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构，包括芯片本体，所述芯片本体上设置有面积相同、PN结体结构相同的第一光敏二极管和第二光敏二极管；还包括第一PMOS管和第二PMOS管；

其中，所述第一光敏二极管的受光照区域覆盖遮光件；

所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接于正极，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相接；

所述第一PMOS管的漏极与栅极相接、同时与第一光敏二极管的负极相接；

所述第二PMOS管的漏极与第二光敏二极管的负极相接、同时接入电流放大器的输入端，该电流放大器的输出端即为信号输出端；

所述第一光敏二极管的正极与所述第二光敏二极管的正极均接地。

本实用新型所述的适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构中，所述遮光件为金属层。

本实用新型所述的适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构中，所述光敏二极管包括N型衬底，在所述N型衬底上设置有P阱层，所述P阱层的顶面间隔分布有P型基区和N+掺杂，在所述N+掺杂上分布有栅氧，且在预定的栅氧上设置了多晶；

所述多晶、栅氧、栅氧之下的N+掺杂、以及P型基区均被介质层覆盖，在所述介质层上覆盖有二氧化硅层；

所述介质层上对应于P型基区的位置开设有通孔，在所述二氧化硅层的下层对应于所述通孔的位置设置有金属铝；

在所述二氧化硅层的顶面、且正对多晶的上部具有开窗。