[实用新型]一种光刻胶涂布设备有效
| 申请号: | 201821440414.6 | 申请日: | 2018-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN208673043U | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 研磨 光刻胶涂布 半导体 边缘研磨 衬底 边缘区域 喷头模块 光刻胶 去除 衬底边缘区域 本实用新型 产品良率 后续工艺 产生源 清洗液 研磨槽 有效地 工作台 喷涂 残留 | ||
1.一种光刻胶涂布设备,其特征在于,包括:
工作台,用于吸附及旋转待研磨半导体衬底,且所述待研磨半导体衬底的边缘区域凸出于所述工作台的边缘;
边缘研磨模块,所述边缘研磨模块包括研磨槽,所述研磨槽用以对所述边缘区域进行研磨;
喷头模块,包括位于所述待研磨半导体衬底下方的第一喷头组件及位于所述待研磨半导体衬底上方的第二喷头组件,通过所述第一喷头组件及第二喷头组件用以向所述待研磨半导体衬底喷涂清洗液。
2.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述边缘研磨模块包括旋转边缘研磨模块及固定边缘研磨模块中的一种或组合。
3.根据权利要求2所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:当所述边缘研磨模块采用所述旋转边缘研磨模块时,所述研磨槽包括环形研磨槽。
4.根据权利要求2所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:当所述边缘研磨模块采用所述旋转边缘研磨模块时,所述旋转边缘研磨模块的旋转方向与所述待研磨半导体衬底的旋转方向包括相反及相同中的一种或组合。
5.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述边缘研磨模块还包括驱动件。
6.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述研磨槽的表面包括由平面及曲面所围成的形貌中的一种或组合。
7.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述研磨槽的表面包括第一研磨侧面、研磨底面及第二研磨侧面,所述第一研磨侧面及第二研磨侧面形成的所述研磨槽的开口的高度大于所述研磨槽的底面的高度。
8.根据权利要求7所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述第二研磨侧面与所述第一研磨侧面在水平方向上的投影面积不等。
9.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述研磨槽的截面形貌包括等腰梯形。
10.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述研磨槽具有预设深度,且所述预设深度的范围包括0.2mm~10mm。
11.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述研磨槽的开口的高度的范围包括0.6mm~20mm。
12.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述研磨槽的底面的高度的范围包括0.3mm~10mm。
13.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述边缘研磨模块沿所述研磨槽的对称轴呈轴对称,所述边缘研磨模块在水平方向上的投影的形貌包括直径范围为1mm~30mm的圆形。
14.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述第二喷头组件位于所述待研磨半导体衬底的上方,喷涂的所述清洗液覆盖所述待研磨半导体衬底的上表面;所述第一喷头组件与所述待研磨半导体衬底的背面具有预设夹角,喷涂的所述清洗液覆盖所述边缘区域的背面。
15.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述边缘研磨模块包括Al2O3边缘研磨模块。
16.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述光刻胶涂布设备还包括背面处理模块,所述背面处理模块与所述待研磨半导体衬底的背面在预设范围内相接触,用于清洗所述待研磨半导体衬底的背面。
17.根据权利要求16所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述背面处理模块包括移动刮刷及固定刮刷中的一种或组合。
18.根据权利要求1所述的光刻胶涂布设备,其特征在于:所述光刻胶涂布设备还包括收集槽,所述收集槽用于收集所述清洗液,且所述收集槽的底部包括排液通道。
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