[实用新型]一种硅基太阳能电池结构有效
申请号: | 201821400988.0 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN208889668U | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 黄卓;周艳方 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波;刘艳丽 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主栅电极 主表面 背面电极 硅基板 硅基太阳能电池 焊点 本实用新型 转换效率 电极 副栅 背面 平行 电极材料 相邻焊点 正面电极 延伸 多列 多行 遮光 电池 制作 | ||
本实用新型公开了一种硅基太阳能电池结构,包括硅基板以及位于硅基板的第一主表面的正面电极和位于硅基板的第二主表面的背面电极,第一主表面与第二主表面相对,其中背面电极包括设置在第二主表面的多列平行的主栅电极和多行平行的副栅电极,主栅电极的延伸方向和副栅电极的延伸方向之间具有夹角,主栅电极具有多个焊点,至少其中一列主栅电极上的至少两个相邻焊点之间的主栅电极的平均宽度(D1)小于剩余多个焊点之间的主栅电极的平均宽度(D2)。本实用新型背面电极通过对主栅电极不同区域进行不同设计,降低了背面电极的遮光面积,提高了电池的背面转换效率,同时电极材料的耗量也得到降低;制作的组件也具有更高的背面转换效率。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种硅基太阳能电池结构。
背景技术
光伏技术是一项利用大面积的p-n结二极管将太阳能转化为电能的技术。制作太阳能电池的半导体材料都具有一定的禁带宽度,当太阳能电池受到太阳辐射时,能量超过禁带宽度的光子在太阳电池中产生电子空穴对,p-n结将电子空穴对分离,p-n结的非对称性决定了不同类型的光生载流子的流动方向,通过外部电路连接可以向外输出功率。这跟普通的电化学电池原理类似。
目前太阳能电池的电极结构正面一般为主栅加副栅的H型版型结构,而背面电极一般则是采取印刷整面铝背场加银焊点的方法。不过近年来,背面同样采取主栅加副栅的H型版型结构的电极制作方式逐步取代了传统的铝背场方式。这种新方式的优势在于电池背面的非电极区域可以吸收光,从而实现双面发电。
但是目前无论是使用H型主栅加副栅银电极的N型双面电池还是使用H型主栅加副栅铝电极以及银焊点的P型双面电池,其背面的转换效率只有正面的70%~90%。这其中的一个主要问题就是背面电极遮光面积太大,特别是使用铝电极的P型双面电池,其主栅遮光面积达到整个电池面积的8%~15%。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种硅基太阳能电池结构,用以解决现有技术中因背面电极遮光面积太大而导致电池的转换效率低的问题。
本实用新型的上述目的可以通过以下技术方案来实现:一种硅基太阳能电池结构,包括硅基板以及位于所述硅基板的第一主表面的正面电极和位于所述硅基板的第二主表面的背面电极,所述第一主表面与所述第二主表面相对,其中所述背面电极包括设置在所述第二主表面的多列基本平行的主栅电极和多行基本平行的副栅电极,所述主栅电极的延伸方向和所述副栅电极的延伸方向之间具有夹角,其特征是:所述主栅电极具有多个焊点,至少其中一列主栅电极上的至少两个相邻焊点之间的主栅电极的平均宽度(D1)小于剩余多个焊点之间的主栅电极的平均宽度(D2)。
进一步地,其中一列主栅电极上的至少三个相邻焊点之间的主栅电极的平均宽度(D1)小于剩余多个焊点之间的主栅电极的平均宽度(D2)。
可选地,所述主栅电极的列数为4~20列;优选为6~20列;另外,优选地,所述平均宽度(D1)的范围是不大于2mm,所述平均宽度(D2)的范围是0.05~3mm。
可选地,各主栅电极上的多个焊点的数量相同或不同。
可选地,所述焊点的数量为2~20个;优选为4~20个。
可选地,所述正面电极的正面主栅电极与所述背面电极的背面主栅电极的列数相同,优选地,所述正面电极的正面主栅电极与所述背面电极的背面主栅电极对称地分布在所述硅基板的正面和背面。
可选地,所述夹角为约85~90°,优选为87~90°,更优选为88~90°,进一步优选为89~90°。
作为本实用新型的其中一种优选的实施方案,所述主栅电极的列数为N,其中任意一列设为i,每列焊点的数量为M,其中任意一个焊点设为j,对于任意的不大于(M-1)的j和任意不大于N的i,如果第i列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D1,那么
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的