[实用新型]一种硅基太阳能电池结构有效
申请号: | 201821400988.0 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN208889668U | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 黄卓;周艳方 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波;刘艳丽 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 主栅电极 主表面 背面电极 硅基板 硅基太阳能电池 焊点 本实用新型 转换效率 电极 副栅 背面 平行 电极材料 相邻焊点 正面电极 延伸 多列 多行 遮光 电池 制作 | ||
1.一种硅基太阳能电池结构,包括硅基板(5)以及位于所述硅基板(5)的第一主表面的正面电极和位于所述硅基板(5)的第二主表面的背面电极(1),所述第一主表面与所述第二主表面相对,其中所述背面电极(1)包括设置在所述第二主表面的多列平行的主栅电极(2)和多行平行的副栅电极(3),所述主栅电极(2)的延伸方向和所述副栅电极(3)的延伸方向之间具有夹角,其特征是:所述主栅电极(2)具有多个焊点(4),至少其中一列主栅电极上的至少两个相邻焊点之间的主栅电极的平均宽度(D1)小于剩余多个焊点之间的主栅电极的平均宽度(D2)。
2.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:其中一列主栅电极上的至少三个相邻焊点之间的主栅电极的平均宽度(D1)小于剩余多个焊点之间的主栅电极的平均宽度(D2)。
3.根据权利要求1或2所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:所述主栅电极(2)的列数为4~20列。
4.根据权利要求1或2所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:各主栅电极上的多个焊点的数量相同或不同。
5.根据权利要求4所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:所述焊点(4)的数量为2~20个。
6.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:所述正面电极的正面主栅电极与所述背面电极的背面主栅电极的列数相同。
7.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:所述夹角为85~90°。
8.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:所述主栅电极(2)的列数为N,其中任意一列设为i,每列焊点的数量为M,其中任意一个焊点设为j,对于任意的不大于(M-1)的j和任意不大于N的i,如果第i列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D1,那么
对于i≠N且i≠1的第i列,第i+1列和第i-1列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D2;
对于i=N的第i列,第i-1列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D2;
对于i=1的第i列,第i+1列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D2;
其中,M、N、i、j为能够实现的正整数。
9.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:所述主栅电极(2)以硅片的横向中心线和/或纵向中心线为对称轴相对称设置。
10.根据权利要求9所述的硅基太阳能电池结构,其特征是:所述主栅电极(2)的列数为N,其中任意一列设为i,每列焊点的数量为M,其中任意一个焊点设为j,对于任意的不大于(M-1)的j和任意不大于(N+1)/2的i,如果第i列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D1,那么
a)对于i≠(N+1)/2,i≠N/2且i≠1的第i列,第i+1列和第i-1列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D2;
b)对于i=(N+1)/2或i=N/2的第i列,第i-1列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D2;
c)对于i=1的第i列,第i+1列的第j个焊点和第j+1个焊点之间的主栅电极平均宽度为D2;
其中,M、N、i、j为能够实现的正整数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶澳(扬州)太阳能科技有限公司,未经晶澳(扬州)太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821400988.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种含有混合漏电极的氮化镓HEMT器件
- 下一篇:一种太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的