[实用新型]静电吸附装置有效
申请号: | 201821384996.0 | 申请日: | 2018-08-27 |
公开(公告)号: | CN208637404U | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 刘世振;陈伏宏;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 夹具 晶圆 静电吸附盘 静电吸附装置 圆心 后续工艺 自由端 侧壁 本实用新型 侧壁连接 产品良率 传送过程 翻转连接 活动连接 上下活动 位置偏移 向上翻转 直径相等 周向间隔 均匀度 连接端 正投影 夹紧 减小 排布 重合 磨损 | ||
本实用新型提供一种静电吸附装置,包括:静电吸附盘;至少3个可上下活动翻转连接于静电吸附盘侧壁的夹具,且夹具沿静电吸附盘的周向间隔排布,夹具的连接端与静电吸附盘的侧壁活动连接;夹具从下向上翻转过来后,夹具的自由端均与晶圆接触,自由端与晶圆接触的点在同一个圆周上且与晶圆的直径相等,同时圆周的圆心与晶圆及静电吸附盘的圆心的正投影重合。通过在静电吸附盘的侧壁连接夹具以调节晶圆在传送过程中产生的位置偏移,改善了晶圆在后续工艺中的均匀度,提高了后续工艺的稳定性;另外夹具是通过推动所述晶圆的调节方式完成,而不是现有技术中采用夹紧的调节方式,大大减小了夹具对晶圆的磨损,提高产品良率。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种可调节晶圆位置的静电吸附装置。
背景技术
静电吸附装置是一种集成射频(Radio Frequency,RF)传导、静电吸附以及温度传感于一体的部件。目前,在半导体领域内的很多工艺腔内使用静电吸附装置吸附待工艺处理的晶圆,尤其在刻蚀工艺过程中起着至关重要的作用,所述静电吸附装置一般都是居中设置在工艺腔室内。理论上,待工艺处理的晶圆也是处于等离子体的居中位置。
在实际的工艺处理过程中,晶圆在工艺腔室内的位置是通过机械手臂将晶圆传送至静电吸附装置的静电吸附盘(Electrostatic Chuck,ESC)上,而机械手臂采用先期校准的方式以尽量保证晶圆落在静电吸附盘上的中心位置,而这个位置依靠人眼一次定位,主观性强。明显地,晶圆在工艺腔室内的位置会存在着微小误差,这种位置误差来自多个方面,例如:每次例行维护保养后部件的摆放位置误差、机械手臂传送位置误差、机械手臂传送过程中晶圆移动产生误差及静电吸附盘吸附晶圆时受力不均匀导致的位置误差等等。
而以上误差势必导致晶圆在工艺腔室内的位置在每次工艺处理或者维护后均存在差异。尤其在晶圆的晶边刻蚀制程中,对晶圆的中心化要求极高,微小的误差就会导致刻蚀缺陷,严重的会导致整个晶圆刻蚀失败。另外,在如今半导体的关键尺寸越来越小的背景下,上述微小的误差导致的结果将会被放大,进而影响产品良率。
因此有必要提供一种静电吸附装置,该装置可调节晶圆在静电吸附盘上的位置,使晶圆处于静电吸附装置的中心位置。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种静电吸附装置,用于解决现有技术中晶圆在传送过程中产生位置误差,从而使晶圆不能传送至静电吸附装置的中心位置的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种静电吸附装置,所述静电吸附装置包括:
静电吸附盘;
至少3个可上下活动翻转连接于所述静电吸附盘的侧壁的夹具,且所述夹具沿所述静电吸附盘的周向间隔排布,所述夹具具有连接端及调节晶圆位置的自由端,所述连接端与所述静电吸附盘的侧壁活动连接;
所述夹具从下向上翻转过来后,所述自由端均与所述晶圆接触,所述自由端与所述晶圆接触的点在同一个圆周上,且所述圆周的直径与所述晶圆的直径相等,同时所述圆周的圆心与所述晶圆的圆心及所述静电吸附盘的圆心的正投影重合。
优选地,所述夹具沿所述静电吸附盘的周向均匀排布。
进一步地,所述静电吸附装置包括3个所述夹具。
优选地,所述夹具的材料包括聚四氟乙烯。
优选地,所述夹具与所述静电吸附盘可拆卸连接。
优选地,所述自由端包括垂直面。
优选地,所述夹具的边角设置为倒圆角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造