[实用新型]静电吸附装置有效
申请号: | 201821384996.0 | 申请日: | 2018-08-27 |
公开(公告)号: | CN208637404U | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 刘世振;陈伏宏;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 夹具 晶圆 静电吸附盘 静电吸附装置 圆心 后续工艺 自由端 侧壁 本实用新型 侧壁连接 产品良率 传送过程 翻转连接 活动连接 上下活动 位置偏移 向上翻转 直径相等 周向间隔 均匀度 连接端 正投影 夹紧 减小 排布 重合 磨损 | ||
1.一种静电吸附装置,其特征在于,所述静电吸附装置包括:
静电吸附盘;
至少3个可上下活动翻转连接于所述静电吸附盘的侧壁的夹具,且所述夹具沿所述静电吸附盘的周向间隔排布,所述夹具具有连接端及调节晶圆位置的自由端,所述连接端与所述静电吸附盘的侧壁活动连接;
所述夹具从下向上翻转过来后,所述自由端均与所述晶圆接触,所述自由端与所述晶圆接触的点在同一个圆周上,且所述圆周的直径与所述晶圆的直径相等,同时所述圆周的圆心与所述晶圆的圆心及所述静电吸附盘的圆心的正投影重合。
2.根据权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于:所述夹具沿所述静电吸附盘的周向均匀排布。
3.根据权利要求2所述的静电吸附装置,其特征在于:所述静电吸附装置包括3个所述夹具。
4.根据权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于:所述夹具的材料包括聚四氟乙烯。
5.根据权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于:所述夹具与所述静电吸附盘可拆卸连接。
6.根据权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于:所述自由端包括垂直面。
7.根据权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于:所述夹具的边角设置为倒圆角。
8.根据权利要求1所述的静电吸附装置,其特征在于:所述静电吸附盘的侧壁开设有凹槽,所述凹槽与所述静电吸附盘的盘面之间形成凸缘;所述夹具容置于所述凹槽中,所述夹具包括具有所述连接端的翻转臂、具有所述自由端的位置调节臂及连接所述翻转臂与所述位置调节臂的连接臂,且所述翻转臂、所述位置调节臂及所述连接臂形成可容置所述凸缘的开口;所述夹具未翻转时,所述翻转臂连接于所述凹槽的顶壁,所述位置调节臂位于所述凹槽的底壁上,所述连接臂位于所述凹槽的侧壁上。
9.根据权利要求8所述的静电吸附装置,其特征在于:所述位置调节臂的长度可以调节。
10.根据权利要求8所述的静电吸附装置,其特征在于:所述连接臂的内侧面包括垂直面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造