[实用新型]一种自动水洗系统有效

专利信息
申请号: 201821368962.2 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN208861940U 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 钱曙光 申请(专利权)人: 捷而科电材(上海)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201611 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 输送装置 水洗系统 水洗室 本实用新型 螺旋搅拌轴 供水装置 传送辊 供水管 半导体加工技术 并排设置 分隔设置 晶圆加工 链轮机构 清洗效果 驱动电机 输送轨迹 水平转动 主供水管 减速机 喷淋器 室内部 穿经 晶圆 良率 转动 架设 伸出 出口
【说明书】:

本实用新型公开了一种自动水洗系统,涉及半导体加工技术领域,包括水洗室、输送装置以及供水装置,所述水洗室上开设有水洗入口和水洗出口,所述水洗室内部至少分隔设置有两个呈并排设置的分洗室;所述供水装置包括主供水管以及分供水管,所述分供水管一端均固定有喷淋器;所述输送装置包括若干转动架设于水洗室中的传送辊,各所述传送辊共同构成晶圆的输送轨迹,且所述输送装置依次穿经各分洗室;各所述分洗室中还水平转动设置有螺旋搅拌轴,所述螺旋搅拌轴的一端伸出对应分洗室并通过链轮机构和减速机连接有驱动电机。本实用新型提供了使用方便、清洗效果突出,并有助于提高晶圆加工良率的一种自动水洗系统。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体地说,它涉及一种自动水洗系统。

背景技术

在半导体器件制造过程中,晶圆在化学机械研磨机台中经过抛光后,要继续经过一系列的清洗步骤,除去晶圆表面所残留的研磨液以及微粒等脏污,以保证晶圆后续加工质量,从而完整的完整化学机械研磨(CMP)工艺。

现有专利公开号为CN106024580A的发明专利申请公开了一种用于在半导体制造加工的CMP工艺中清洗晶圆的方法和系统,该方法通过使清洗刷组件旋转来清洗半导体晶圆,并通过施加搅拌的清洗液以清洗清气刷组件。但是,在实际清洗过程中,由于刷子构件接触晶圆会给晶圆一定的压力,容易造成晶圆表面图案的损伤,特别是随着晶圆工艺尺寸的减小,图案损伤对晶圆良率的影响也越来越大。

实用新型内容

针对现有晶圆清洗方法容易降低晶圆良率的问题,本实用新型的目的是提供一种自动水洗系统,采用多重水洗代替传统刷洗的清洗方式,极大提高晶圆加工的良率。

为实现上述目的,本实用新型提供了如下技术方案:

一种自动水洗系统,包括水洗室、输送装置以及与水洗室呈连通设置的供水装置,所述水洗室上开设有水洗入口和水洗出口,所述水洗室内部至少分隔设置有两个呈并排设置的分洗室,所述供水装置同时连通各分洗室;所述输送装置从水洗入口延伸至水洗出口,且所述输送装置依次穿经各分洗室。

通过采用上述技术方案,实际工作中,供水装置可向各分洗室中供应足量的、用于清洗晶圆的水或清洗溶液;在此过程中,输送装置可驱动晶圆依次穿经各个分洗室,并实现多重清洗。通过这种方式,采用多重水洗代替传统的刷子刷洗的清洗方式,在保证清洗效果的同时,避免晶圆在清洗中受到损伤,有助于提高晶圆良率。

本实用新型进一步设置为:所述输送装置包括若干转动架设于水洗室中的传送辊,各所述传送辊呈水平间隔设置并共同构成晶圆的输送轨迹。

通过采用上述技术方案,晶圆放置于各传送辊上,各传送辊转动并驱动晶圆沿输送轨迹持续进给,进而依次穿经各个分洗室。

本实用新型进一步设置为:所述输送轨迹在任一分洗室中的高度均低于对应分洗室中水面高度。

通过采用上述技术方案,由于输送轨迹的高度低于水面高度,晶圆在进入水洗室后将浸泡在水或清洗溶液中,从而实现对晶圆的全面清洗,提高晶圆的清洗效果。

本实用新型进一步设置为:所述供水装置包括固定架设于水洗室上的主供水管以及用于连通主供水管与分洗室的分供水管,所述分供水管与分洗室呈一一对应设置,且各所述分供水管远离主供水管的一端均固定有喷淋器。

通过采用上述技术方案,主供水管中的水或清洗溶液流入各个分供水管,并通过各喷淋器向对应分洗室中喷洒水或清洗溶液,在满足各分洗室对于水或清洗溶液的需求的同时,避免水或清洗溶液在落下时对晶圆造成过度冲击。

本实用新型进一步设置为:各所述分洗室的底部均连通有排水管,所述排水管上设置有控制阀。

通过采用上述技术方案,各分洗室中用过多次的水或清洗溶液可以通过排水管排出,方便换水或换清洗溶液以保证后续晶圆清洗的需求。

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