[实用新型]电子集成电路芯片有效
| 申请号： | 201821280672.2 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN208722879U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | J·J·法戈;P·波伊文;F·亚瑙德 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 半导体材料层 电子集成电路 晶体管 芯片 衬底 层绝缘 厚度比 延伸 | ||
1.一种电子集成电路芯片，其特征在于，包括：
绝缘体上半导体衬底，包括在支撑半导体衬底之上的绝缘层；
第一晶体管，布置在从所述支撑半导体衬底外延的外延半导体延伸的内部和顶部上；
第二晶体管，布置在所述绝缘层上的第一半导体材料层的内部和顶部上，所述第一半导体材料层具有第一厚度；以及
第三晶体管，布置在所述绝缘层上的第二半导体材料层的内部和顶部上，所述第二半导体材料层具有第二厚度，其中所述第二厚度比所述第一厚度大。
2.根据权利要求1所述的电子集成电路芯片，其特征在于，所述第一厚度小于20nm。
3.根据权利要求1所述的电子集成电路芯片，其特征在于，所述第一厚度在从5nm到20nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的电子集成电路芯片，其特征在于，所述第一厚度等于7nm±10％。
5.根据权利要求1所述的电子集成电路芯片，其特征在于，所述第二厚度大于30nm。
6.根据权利要求1所述的电子集成电路芯片，其特征在于，所述第二厚度在从30nm到50nm的范围内。
7.根据权利要求1所述的电子集成电路芯片，其特征在于，所述第一厚度等于35nm±10％。
8.根据权利要求1所述的电子集成电路芯片，其特征在于，所述第一晶体管是体晶体管，所述第二晶体管是全耗尽绝缘体上硅晶体管，并且所述第三晶体管是部分耗尽绝缘体上硅晶体管。
9.根据权利要求1所述的电子集成电路芯片，其特征在于，进一步包括在所述外延半导体延伸中的绝缘区域，并且其中晶体管栅极在所述绝缘区域之上延伸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司，未经意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
