[实用新型]用于发光二极管的半导体芯片

权利要求书

1.一用于发光二极管的半导体芯片，其特征在于，包括：

一外延单元，其中所述外延单元包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部；

至少一电流阻挡层，其中所述电流阻挡层层叠于所述P型半导体层；

一透明导电层，其中所述透明导电层具有至少一列穿孔，其中所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述P型半导体层，所述透明导电层的所述穿孔对应于所述电流阻挡层，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔与相邻所述穿孔不同；以及

一电极组，其中所述电极组包括层叠于所述N型半导体层的一N型电极和层叠于所述透明导电层的一P型电极，其中所述N型电极包括形成于所述半导体芯片的第二端部的一N型电极焊盘，其中所述P型电极包括形成于所述半导体芯片的第一端部的一P型电极焊盘和自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部方向延伸的至少一P型电极扩展条，其中所述P型电极扩展条具有一列P型叉指，其中所述P型叉指形成于和被保持在所述透明导电层的所述穿孔。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述N型电极进一步包括至少一N型电极扩展条，其中所述N型电极扩展条自所述N型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部方向延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中一列所述穿孔中的每个所述穿孔的尺寸从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大，从而一列所述P型叉指中的每个所述P型叉指的尺寸从所述半导体芯片的第一端部向第二端部反向逐渐增大。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中一列所述穿孔中的每个所述穿孔的尺寸从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大，从而一列所述P型叉指中的每个所述P型叉指的尺寸从所述半导体芯片的第一端部向第二端部反向逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中一列所述穿孔中的每个所述穿孔的尺寸从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐减小，从而一列所述P型叉指中的每个所述P型叉指的尺寸从所述半导体芯片的第一端部向第二端部反向逐渐减小。

6.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中一列所述穿孔中的每个所述穿孔的尺寸从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐减小，从而一列所述P型叉指中的每个所述P型叉指的尺寸从所述半导体芯片的第一端部向第二端部反向逐渐减小。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中一列所述穿孔中的相邻两个所述穿孔之间的间距从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大，从而一列所述P型叉指中的相邻两个所述P型叉指之间的间距从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大。

8.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中一列所述穿孔中的相邻两个所述穿孔之间的间距从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大，从而一列所述P型叉指中的相邻两个所述P型叉指之间的间距从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大。

9.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中一列所述穿孔中的相邻两个所述穿孔之间的间距从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大，从而一列所述P型叉指中的相邻两个所述P型叉指之间的间距从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大。

10.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中一列所述穿孔中的相邻两个所述穿孔之间的间距从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大，从而一列所述P型叉指中的相邻两个所述P型叉指之间的间距从所述半导体芯片的第一端部向所述第二端部方向逐渐增大。