[实用新型]显示基板、显示面板和显示终端有效
申请号: | 201821098175.0 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN208489196U | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 王燕锋;崔永鑫;刘成;胡江平 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏电极 子像素电极 显示面板 嵌入 显示基板 显示终端 跌落 本实用新型 缓冲效果 接触不良 连接方式 使用寿命 应力释放 逐渐缩小 结合力 抗弯曲 外轮廓 撞击力 子像素 传递 | ||
本实用新型涉及一种显示基板、显示面板和显示终端,其中显示基板包括漏电极及子像素电极,子像素电极嵌入漏电极并与漏电极连接,且嵌入漏电极内的子像素电极为外轮廓尺寸自子像素电极至漏电极逐渐缩至零的结构。如此子像素电极嵌入漏电极的连接方式,大大提高了子像素电极与漏电极之间的结合力,且子像素电极嵌入部分为自子像素电极至漏电极逐渐缩小至端点的结构,端点处的接触面积小,在撞击力传递的方向可起到较好的应力释放和缓冲效果,因此大大改善子像素电极与漏电极在承受跌落撞击时容易脱落导致接触不良的问题,提高了显示面板的抗弯曲强度和承受跌落撞击强度,提高了显示面板的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板、显示面板和显示终端。
背景技术
近年来,随着社会的发展与科技的进步,智能终端设备和可穿戴设备的技术发展日新月异,对于平板显示的要求也逐渐提高,需求也越来越多样化。OLED(Orgnic Light-Emitting Diode,有机发光二极管显示装置)由于与液晶显示器相比在功耗更低的同时具有更高的亮度与响应速度,并且可弯曲、柔韧性佳的优点,因此被越来越广泛地应用于手机、平板电脑甚至电视等智能终端产品中,成为了显示领域的主流显示器。
为追求更佳的视觉体验及触感体验,对OLED显示面板的有效显示面积及厚度要求越来越高,但随着有效显示面积的增大及其厚度变薄,显示面板的强度随之降低,尤其是柔性OLED显示面板在多次弯曲或卷曲过程中及在承受跌落撞击时,弯曲区域及被击中区域不能全彩显示,易出现黑斑、亮斑、彩斑等显示不良。
因此,如何提高OLED显示面板的强度信赖性,是本领域技术人员亟待解决的问题。
实用新型内容
基于此,有必要针对显示面板在弯曲和承受跌落撞击中易出现显示不良的问题,提供一种改善上述问题的显示基板、显示面板和显示终端。
一种显示基板,包括:
漏电极;
子像素电极,嵌入所述漏电极并与所述漏电极连接,且嵌入所述漏电极内的子像素电极为外轮廓尺寸自所述子像素电极至所述漏电极逐渐缩小至零的结构。
可选地,嵌入所述漏电极内的子像素电极的外轮廓尺寸自所述子像素电极至所述漏电极连续渐变。
可选地,嵌入所述漏电极内的子像素电极的外轮廓尺寸为锥体结构。
可选地,嵌入所述漏电极内的子像素电极的外轮廓尺寸为棱锥结构或圆锥体结构。
可选地,嵌入所述漏电极内的子像素电极的外轮廓尺寸为三棱锥结构。
可选地,嵌入所述漏电极内的子像素电极的外轮廓尺寸的侧壁相对于所述显示基板的衬底基板倾斜的角度为30°-80°。研究发现,如果该倾斜的角度较小,则子像素电极与漏电极之间的结合力受影响;如果该倾斜的角度较大,则应力释放和缓冲能力受到影响。而在该倾斜角度范围内,可使子像素电极与漏电极之间的结合力、应力释放和缓冲能力均较优。
可选地,所述子像素电极嵌入所述漏电极的深度为200nm-300nm。研究发现,在该倾斜角度范围内,可使子像素电极与漏电极之间的结合力、应力释放和缓冲能力均较优。
可选地,所述子像素电极除与所述漏电极嵌入连接之外,所述子像素电极还与所述漏电极的上表面相接触。
一种显示面板,包括:
显示基板,包括漏电极、子像素电极及像素限定层;嵌入所述漏电极内的子像素电极为外轮廓尺寸自所述子像素电极至所述漏电极逐渐缩小至零的结构;所述像素限定层形成于所述子像素电极上且设有开口;
子像素,形成于所述像素限定层的开口内;及
封装结构,形成于所述子像素上以用于封装所述子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的