[实用新型]实现PECVD氮化硅绕镀控制的载具结构

说明书

本实用新型公开了一种实现PECVD氮化硅绕镀控制的载具结构，其特征在于所述载具(1)上设置多个凸出装置(2)，所述凸出装置(2)可以在载具(1)上升降和限位。硅片可水平放置在本申请提出的载具上进行工艺，在载具上有固定的凸出装置，凸出装置可以根据绕镀的需要调整不同的高度，将硅片边缘一定程度的抬起，实现稳定的氮化硅绕镀的控制。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池片生产领域，主要是N型双面高效电池，具体是一种实现PECVD氮化硅绕镀控制的载具结构。

背景技术

在N型双面电池制造过程中，由于是双面扩散，正面扩硼，背面扩磷，由于防止双面电池的导通，造成漏电，需要在背面扩磷后镀膜工序在正面形成0.5mm左右的氮化硅绕镀，从而在正面扩硼的时候进行保护，实现隔离的作用。

常规的管式PECVD和板式PECVD石墨载具都很难实现稳定的控制绕镀，管式PECVD采用垂直插片，硅片会通过三个卡点紧贴石墨片，边缘会有稳定的氮化硅，但镀膜另一面的氮化硅边缘绕镀非常难以稳定的控制，存在一定比例的漏电风险。而板式PECVD由于是间接式等离子沉积，边缘和背面就更难存在氮化硅，漏电风险极高。

如何保证PECVD氮化硅绕镀的稳定控制，是一个急需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型针对背景技术中存在的问题，提出了一种实现PECVD氮化硅绕镀控制的载具结构。

技术方案：

一种实现PECVD氮化硅绕镀控制的载具结构，所述载具上设置多个凸出装置，所述凸出装置可以在载具上升降和限位。

作为凸出装置的第一种实施方式，所述凸出装置为螺钉结构，在螺钉的根部设置卡齿，在载具的凸出装置固定处设置卡槽，卡齿和卡槽匹配实现凸出装置在载具上的降和限位。

作为凸出装置的第二种实施方式，所述凸出装置为螺钉结构，在螺钉的根部设置外螺纹，在载具的凸出装置固定处设置内螺纹，外螺纹和内螺纹匹配实现凸出装置在载具上的降和限位。

优选的，所述凸出装置设置3个，呈正三角形布置在载具上。

本实用新型的有益效果

硅片可水平放置在本申请提出的载具上进行工艺，在载具上有固定的凸出装置，凸出装置可以根据绕镀的需要调整不同的高度，将硅片边缘一定程度的抬起，实现稳定的氮化硅绕镀的控制。

附图说明

图1为本实用新型结构俯视图。

图2为本实用新型结构侧视图。

图3为本实用新型第一种凸出装置匹配剖视图。

图4为本实用新型第二种凸出装置匹配剖视图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步说明，但本实用新型的保护范围不限于此：

结合图1和图2，硅片可水平放置在本申请提出的载具1上进行工艺，在载具1上有固定的凸出装置2，凸出装置2可以根据绕镀的需要调整不同的高度，将硅片边缘一定程度的抬起，实现稳定的氮化硅绕镀的控制。

图3给出了第一种凸出装置2的实施方式，所述凸出装置2为螺钉结构，在螺钉的根部设置卡齿2-3，在载具1的凸出装置固定处设置卡槽1-3，卡齿2-3和卡槽1-3匹配实现凸出装置2在载具1上的降和限位。优选的，卡齿2-3和卡槽1-3为软质材料。

图4给出了第二种凸出装置2的实施方式，所述凸出装置2为螺钉结构，在螺钉的根部设置外螺纹2-4，在载具1的凸出装置固定处设置内螺纹1-4，外螺纹2-4和内螺纹1-4匹配实现凸出装置2在载具1上的降和限位。