[实用新型]一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，从衬底(1)向上依序包括衬底(1)、缓冲层(2)、n型欧姆接触层(3)、有源层(4)、p型势垒层(5)、p型欧姆接触层(6)，以及利用芯片制程方法制作一种至少穿过p型欧姆接触层的窗口层(7)；其特征在于：所述缓冲层(2)、n型欧姆接触层(3)、p型势垒层(5)均由带隙宽度不小于二极管发光光子能量的氮化镓系材料所构成，所述窗口层(7)在外延层表面开口的间距范围在1至30um，所述窗口层(7)的纵截面为方形、倒三角形、倒梯形中的一种或几种的组合，所述衬底(1)为蓝宝石衬底。

2.根据权利要求1所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述窗口层(7)的数量在一个或一个以上。

3.根据权利要求1所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述n型欧姆接触层(3)组份为Al_xGa_1-xN，其中0.1≦x≦1。

4.根据权利要求1所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述p型势垒层(5)组份为Al_xGa_1-xN，其中0.2≦x≦1。

5.根据权利要求1所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述部份或全部的窗口层(7)上可制作导光结构(8)。

6.根据权利要求5所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述导光结构(8)至少填满整个窗口层(7)在所述p型欧姆接触层(6)以下的部份。

7.根据权利要求5所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述导光结构(8)采用二氧化硅等折射系数小于氮化镓的材料所制作。

8.根据权利要求1所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述部份或全部的窗口层(7)上可制作反射结构(9)。

9.根据权利要求8所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述反射结构(9)至少填满整个窗口层(7)在所述p型欧姆接触层(6)以下的部份。

10.根据权利要求8所述的一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述反射结构(9)采用金属反射镜或分布式布拉格反射镜所制作。