[实用新型]基板处理系统及基板处理装置

说明书

本实用新型涉及基板处理系统及基板处理装置，所述基板处理系统用于对前表面形成有图案(pattern)或膜(layer)且后表面未形成图案或膜的基板进行处理，包括对基板前表面进行研磨工序和对基板后表面进行研磨工序的研磨部。由此，本实用新型具有进一步提高半导体封装件的集成度，在利用了光的后续工序中提高精密度的效果。

技术领域

本实用新型涉及基板处理系统及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够研磨未形成图案(pattern)或膜(layer)的基板后表面和形成有图案或膜的基板前表面的基板处理系统。

背景技术

半导体元件由微细的电路线高密度集成而制造，因此，在基板表面进行与此相应的精密研磨。为了更精密地进行基板的研磨，进行机械式研磨与化学式研磨并行的化学机械式研磨工序(CMP工序)。

即，对基板进行平坦研磨工序，进行精巧的研磨层厚度控制，以贴装微细元件的形态制造半导体封装件。

以往，用于制造半导体封装件的基板，进行形成图案或膜的前表面的研磨工序。但是，只在基板前表面进行研磨工序的情况下，在制造层叠形态的半导体封装件方面，由于层叠高度不固定，因而被指出在提高集成度方面存在界限。

特别是在研磨工序之后进行的曝光工序中，由于基板后表面的凸凹，基板微微倾斜地放置，因而基板与掩模的定位状态发生错误，引起难以形成准确图案的问题。

另外，在用光横向贯通的基板来制造半导体封装件的情况下，由于后表面的粗糙不平的凸凹，照射于基板的光被后表面的凸凹散射，存在蚀刻部位的边界不够清晰的问题。

因此，迫切需要一种消除如上所述的半导体封装件的制造工序问题的方案。

实用新型内容

所要解决的技术问题

本实用新型目的在于，提供一种能够研磨未形成图案(pattern)或膜(layer)的基板后表面和形成有图案或膜的基板前表面的基板处理系统及基板处理装置。

另外，本实用新型目的在于，可以在基板研磨后，提高工序(例如，曝光工序)中的稳定性及可靠性。

另外，本实用新型目的在于，可以去除基板后表面残留的异物，可以使异物导致的二次污染实现最小化。

另外，本实用新型目的在于，可以简化结构，提高设计自由度。

另外，本实用新型目的在于，可以提高研磨效率及清洗效率，可以提高收率。

另外，本实用新型目的在于，可以在进行基板的研磨工序之前一次性去除存在于基板的异物，防止研磨工序时因异物导致的基板损伤。

另外，本实用新型目的在于，即使变更或不追加原有设备布局，且不降低工序效率，也可使残留于基板的异物实现最小化。

解决技术问题的方案

根据旨在达成所述本实用新型目的的本实用新型优选实施例，对前表面形成有图案(pattern)或膜(layer)且在后表面未形成图案或膜的基板进行处理的基板处理系统，包括对基板前表面进行的研磨工序和对基板后表面进行的研磨工序的研磨部，由此，能够提高半导体封装件的集成度，能够进一步提高利用了光的后续工序中的精密度。

作为参考，本说明书及权利要求书中记载的“前表面”字样的术语，定义为表示形成有氧化物、金属等图案或膜的一侧的表面，“后表面”字样的术语定义为表示未形成图案或膜的“前表面的相反侧表面”。

另外，在本实用新型中，所谓基板的“准备清洗”，意味着在对基板进行的研磨工序(前表面研磨工序及后表面研磨工序)之前，换句话说，针对未实现研磨的基板的表面首次执行的清洗工序。