[实用新型]基板处理系统及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理系统，用于对前表面形成有图案或膜且后表面未形成图案或膜的基板进行处理，其特征在于，包括：

研磨部，其进行对所述基板的前表面的研磨工序以及对所述基板后表面的研磨工序，

所述研磨部包括：

第一研磨盘，其对所述基板的前表面和后表面中的一表面进行研磨工序；

翻转单元，其从所述第一研磨盘接受所述基板并使之翻转旋转；

第二研磨盘，其从所述翻转单元接受所述基板，对所述基板的前表面和后表面中的另一表面进行研磨工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述翻转单元配置于所述基板在所述第一研磨盘与所述第二研磨盘之间移动的移动路径上或配置于所述移动路径的外侧。

3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板以后表面朝向下部的状态供应到所述研磨部，

在所述第一研磨盘中，进行对所述基板后表面的研磨工序，在所述第二研磨盘中，进行对所述基板的前表面的研磨工序。

4.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

在第一研磨盘配备有第一研磨垫，以所述基板的前表面与后表面中的所述一表面接触所述第一研磨垫的状态研磨，

在第二研磨盘配备有第二研磨垫，以所述基板的前表面与后表面中的所述另一表面接触所述第二研磨垫的状态研磨。

5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板包括第一基板和第二基板，

所述研磨部包括：

第一研磨部，其包括对所述第一基板的前表面与后表面中的所述一表面进行研磨工序的第1-1研磨盘、从所述第1-1研磨盘接受所述第一基板并使之翻转旋转的第一翻转单元、从所述第一翻转单元接受所述第一基板并对所述第一基板的前表面与后表面中的所述另一表面进行研磨工序的第1-2研磨盘；

第二研磨部，其包括对所述第二基板的前表面与后表面中的所述一表面进行研磨工序的第2-1研磨盘、从所述第2-1研磨盘接受所述第二基板并使之翻转旋转的第二翻转单元、从所述第二翻转单元接受所述第一基板并对所述第二基板的前表面与后表面中的所述另一表面进行研磨工序的第2-2研磨盘。

6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，包括：

第一预清洗单元，其配备于所述研磨部，对在所述第一研磨盘研磨的所述基板的前表面与后表面中的所述一表面进行预清洗。

7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，包括：

第二预清洗单元，其配备于所述研磨部，对在所述第二研磨盘研磨的所述基板的前表面与后表面中的所述另一表面进行预清洗。

8.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：

清洗部，其对完成研磨的所述基板进行清洗。

9.根据权利要求8所述的基板处理系统，其特征在于，包括：

预清洗区域，其配备于所述研磨部，针对完成研磨工序的所述基板，进行清洗所述基板的前表面与后表面中的至少一表面的预清洗(pre-cleaning)工序，

所述基板借助配备于预清洗区域的预清洗单元而预清洗后移送到清洗部。

10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，

所述预清洗单元包括向所述基板的表面喷射清洗流体的清洗流体喷射部。

11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其特征在于，

所述清洗流体喷射部包括向所述基板的表面喷射清洗液的清洗液喷射部。

12.根据权利要求11所述的基板处理系统，其特征在于，

所述清洗液包含化学制剂、SC1(Standard Clean-1，APM)、氨、过氧化氢、氢氟酸(HF)、纯水(DIW)中的至少一种。