[实用新型]三维存储器有效
| 申请号： | 201820852897.4 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN208208759U | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/1157;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 堆栈 沟道层 沟道 三维存储器 导电部 衬底 虚拟栅极 本实用新型 电隔离 孔对准 栅极层 堆叠 平行 | ||
1.一种三维存储器，其特征在于包括：
衬底；
位于所述衬底上的堆叠的第一堆栈和第二堆栈，所述第一堆栈和第二堆栈分别包括间隔的栅极层；
位于所述第一堆栈中的第一沟道孔；
位于所述第一沟道孔中的第一沟道层；
位于所述第二堆栈的第二沟道孔，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔对准；
位于所述第二沟道孔中的第二沟道层；
位于所述第一堆栈和所述第二堆栈间的虚拟栅极层；以及
位于所述第一沟道层和所述第二沟道层间的导电部，所述导电部连接所述第一沟道层和所述第二沟道层，且所述导电部与所述虚拟栅极层在平行于所述衬底的方向上相互间隔并电隔离。
2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述虚拟栅极层与所述导电部的至少一部分间的绝缘层。
3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述第一堆栈和第二堆栈间的堆栈中间层，所述虚拟栅极层位于所述堆栈中间层上，其中所述导电部位于所述堆栈中间层和所述虚拟栅极层中。
4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述虚拟栅极层连接到用于接收偏置电压的电压偏置线，所述栅极层连接到用于接收栅极电压的互连线。
5.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述导电部的材料为多晶硅。
6.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述导电部位于所述第一沟道层之上，并沿所述第一沟道孔的径向向外的方向突出于所述第一沟道层。
7.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为电荷俘获型存储器或浮栅型存储器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
