[实用新型]一种可拆卸的IGBT散热结构有效

专利信息
申请号: 201820820486.7 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN208256658U 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 廖楠 申请(专利权)人: 四川蓝彩电子科技有限公司
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L23/40
代理公司: 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 代理人: 潘文林
地址: 629000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 半圆沟槽 上基座 可拆卸的 散热基座 散热结构 水冷通道 下基座 本实用新型 螺纹连接 出水管 进水管 上表面 方便清洗 散热效率 第一端 可拆卸 下表面 盖合
【说明书】:

实用新型公开了一种可拆卸的IGBT散热结构,包括散热基座、IGBT模块(1)、进水管(7)和出水管(8);所述散热基座包括上基座(2)和下基座(3);所述IGBT模块(1)安装在上基座(2)的上表面,上基座(2)的下表面设置有第一半圆沟槽(4),下基座(3)的上表面设置有第二半圆沟槽(5),上基座(2)与下基座(3)盖合固定后,所述第一半圆沟槽(4)和第二半圆沟槽(5)形成散热基座的圆柱形水冷通道(6);所述进水管(7)通过螺纹连接固定在圆柱形水冷通道(6)的第一端,所述出水管(8)通过螺纹连接固定于圆柱形水冷通道(6)的第二端。本实用新型提供了一种可拆卸的IGBT散热结构,具有散热效率高、可拆卸、方便清洗的优势。

技术领域

本实用新型涉及IGBT模块的散热,特别是涉及一种可拆卸的IGBT散热结构。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是一种是由BJT(Bipolar Junction Transistor,双极型三极管)和MOS(Metal-Oxid-Semicon-ductor,绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,集合有MOSFE(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金氧半场效晶体管)的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor,电力晶体管)的低导通压降等优点,具有驱动功率小而饱和压降低的特点,普遍适用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

高功率的IGBT模块的应用范围广泛,但是其容易发热,往往需要对其进行散热,才能持久无故障的工作,就目前而言,大多数IGBT模块的散热方式是风冷方式,现有的风冷型IGBT模块具有造价低,结构简单的优点,但是,相比于水冷散热方式,风冷散热还存在着散热效率不高的问题,当IGBT模块发热量较大时,风冷散热的IGBT模块可能无法及时带走产生的热量,给IGBT模块的正常工作带来诸多不便。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种可拆卸的IGBT散热结构,具有散热效率高、可拆卸、方便清洗的优势。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种可拆卸的IGBT散热结构,包括散热基座、IGBT模块、进水管和出水管;

所述散热基座包括上基座和下基座;所述IGBT模块安装在上基座的上表面,所述上基座的下表面设置有开口向下的第一半圆沟槽,所述下基座的上表面设置有开口向上的第二半圆沟槽,上基座与下基座盖合固定后,所述第一半圆沟槽和第二半圆沟槽形成散热基座的圆柱形水冷通道;

所述进水管通过螺纹连接固定在圆柱形水冷通道的第一端,所述出水管通过螺纹连接固定于圆柱形水冷通道的第二端。

优选地,所述上基座和下基座通过装配螺钉盖合固定;所述上基座上设置有多个上螺纹孔,所述下基座上设置有多个下螺纹孔,所述上螺纹孔与下螺纹孔数目相同且一一对应;每一对上螺纹孔和下螺纹孔均对应于一个装配螺钉,所述装配螺钉穿过上螺纹孔固定在对应的下螺纹孔中,实现对上基座和下基座的盖合固定。

优选地,所述圆柱形水冷通道的第一端内表面设置有第一内螺纹,所述进水管的外圆周上设置有第一外螺纹,所述第一内螺纹与第一外螺纹相配合,将进水管以螺纹连接的方式固定于圆柱形水冷通道的第一端。

优选地,所述圆柱形水冷通道的第二端内表面设置有第二内螺纹,所述出水管的外圆周上设置有第二外螺纹,所述第二内螺纹与第二外螺纹相配合,将出水管以螺纹连接的方式固定于圆柱形水冷通道的第二端。

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