[实用新型]一种太阳电池片的测试结构有效
申请号: | 201820781363.7 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN208173553U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 吴兆;吕首首 | 申请(专利权)人: | 无锡市产品质量监督检验院 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214101 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池片 测试结构 接触导线 电池片 接触台 开合架 电接触 固定台 导轨 背面 双面太阳电池 本实用新型 测试过程 测试需求 滑动配合 两端固定 有效解决 转动连接 测试台 反射 遮挡 测试 | ||
本实用新型属于太阳电池片技术领域,涉及一种太阳电池片的测试结构,包括固定台,其特征在于,所述固定台上固定有用于放置被测电池片的接触台,所述接触台上方设置有若干根顶接触导线,所述接触台表面与被测电池片的背面电接触,所述顶接触导线与被测电池片的正面电接触,且顶接触导线的两端固定在导轨上,所述导轨与开合架滑动配合,所述开合架与固定台转动连接,所述接触台位于开合架的框架内;该测试结构能够有效解决无主栅及双面太阳电池片的测试需求,减少或消除测试过程中的表面遮挡,降低测试台背面反射,提高测试精度。
技术领域
本实用新型涉及一种测试结构,具体是一种太阳电池片的测试结构,属于太阳电池片技术领域。
背景技术
目前晶体硅太阳电池片的尺寸以156mm*156mm为主,栅线数量以四栅、五栅居多,电池片的测试台也多针对该类型的电池片制作,随着晶体硅电池片的工艺及技术演进速率正在逐年加快,无主栅(多条细栅线)及半片等高效电池片数量逐年增加,双面电池片技术应用也在逐渐增多。
目前电池片转换效率测试采用传统测试台、压针式接触方式进行测试,测试台背接触面为铜面,反射率高,导致双面电池片测试结果短路电流较大;接触针遮挡面积较大,难以适应无主栅双面电池片测试需求。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术的问题,提供一种太阳电池片的测试结构,该测试结构能够有效解决无主栅(多条细栅线)及双面太阳电池片的测试需求,减少或消除测试过程中的表面遮挡,降低测试台背面反射,提高测试精度。
为实现以上技术目的,本实用新型的技术方案是:一种太阳电池片的测试结构,包括固定台,其特征在于,所述固定台上固定有用于放置被测电池片的接触台,所述接触台上方设置有若干根平行的顶接触导线,所述顶接触导线的两端固定在导轨上,所述导轨与开合架上下滑动配合,所述开合架与固定台转动连接,所述接触台位于开合架的框架内。
进一步地,所述开合架的一侧设有转轴,所述转轴两端通过固定块固定在固定台上,且开合架可以转轴为中心轴扇形开合。
进一步地,所述开合架的框架上固定有滑块,所述滑块上设有斜置长形孔,所述导轨上设有凸块,所述凸块可穿过滑块上的斜置长形孔,且沿着斜置长形孔滑动。
进一步地,所述接触台与被测电池片的接触面为弧形接触面,所述弧形接触面上涂覆有低反射层,在所述低反射层上设有电流测试线和电压测试线。
进一步地,所述若电流测试线为多根且相互平行,所述电压测试线为多根导线并排平行放置在一起,所述低反射层由反射率较低的绝缘材料制成,且表面为绒面结构。
进一步地,所述电流测试线和电压测试线的材料与顶接触导线的材料相同,均为铜线或镀金的铜线。
进一步地,所述顶接触导线为多根,且两端通过调节固定块固定,用于固定及调节张力的调节固定块固定在导轨上,所述导轨上设有标尺刻度。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
1)本实用新型的顶接触线采用张力可调的铜线或镀金铜线进行表面接触,减少或消除表面接触遮挡;
2)本实用新型采用方便拆卸安装的调节固定块来固定顶接触线,解决不同类型的无主栅(多栅线)电池片表面接触问题及测试问题;
3)本实用新型背面接触采用铜线或镀金铜线与弧形表面接触形式,线中间采用低反射率材料及绒面结构,有效降低背面反射,满足双面电池片测试需求;
4)本实用新型测试结构可以移动拆卸,适用于稳态及瞬态太阳光模拟器,满足不同类型高效电池片测试需求。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1的右视结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造