[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201820516230.7 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN208111444U | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 廖家德;蒋隽;房耸 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 岳丹丹 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 公共电极 薄膜晶体管阵列基板 辅助公共电极 开口区域 显示装置 像素 本实用新型 电性导通 像素开口 电阻率 显示器 金属 保证 | ||
本实用新型属于显示器领域,其实施例具体公开了一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置,该薄膜晶体管阵列基板的公共电极包括位于像素开口区域的第一公共电极以及位于像素非开口区域的第二公共电极,在位于像素非开口区域的第二公共电极的上方还设置有辅助公共电极,所述辅助公共电极设置在所述栅极的上方并与所述第二公共电极直接接触且电性导通。该辅助公共电极一般为电阻率较低的金属,从而保证公共电极上电压的一致性。
技术领域
本实用新型属于显示器领域,更具体地,涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)具有轻薄短小、低耗电及低热量等优点,使液晶显示装置在众多不同类型的显示装置中脱颖而出,被广泛使用,如应用在计算机、移动电话及个人数字助理等现代化信息设备上。
一般而言,LCD的显示区域包括多个像素单元,每个像素单元由两条栅极线(GateLine,又称扫描线)与两条数据线(Data Line)交叉所定义的矩形或其他形状区域,其内设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)以及像素电极,薄膜晶体管充当开关元件。每个像素单元还具有对应的公共电极(像素电极可为设于公共电极上方的狭缝电极,且二者之间设有绝缘层)。在显示模式时,通过改变栅极线和数据线上加载的电信号来控制像素电极的电压,并对公共电极施加公共电压,在像素电极和公共电极之间产生电场控制液晶翻转,实现显示功能。
其中,现有的公共电极采用氧化铟锡(ITO),其阻抗较大,会引起公共电极电压的均匀性及稳定性,进而影响液晶上的实际电压差值,影响显示画面。可见,随着液晶显示面板尺寸的不断增大,液晶显示面板内的公共电极电压均一性差、电压不稳定成为影响大尺寸液晶显示面板画面品质的一个重要因素,公共电极的电压不稳定会引起面板性能的下降,如出现泛绿(Greenish)现象。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。
根据本实用新型的第一方面,提供一种薄膜晶体管阵列基板,包括:一种薄膜晶体管阵列基板,包括基板;栅极,设置在所述基板上;第一绝缘层,设置在所述基板上并覆盖所述栅极;半导体层,设置在所述第一绝缘层上并位于所述栅极上方;源极以及漏极,设置在所述第一绝缘层上,所述源极以及漏极彼此分隔并分别与所述半导体层接触以露出部分的所述半导体层;第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极以及漏极上;公共电极层,设置在所述第二绝缘层上,所述公共电极层上形成有公共电极;其中,所述公共电极包括位于像素开口区域的第一公共电极以及位于像素非开口区域的第二公共电极;所述薄膜晶体管阵列基板还包括辅助公共电极,所述辅助公共电极设置在所述栅极的上方并与所述第二公共电极直接接触且电性导通。
优选地,所述半导体层包括铟镓锌氧化物半导体。
优选地,所述第一绝缘层为栅极绝缘层,包括二氧化硅以及氮化硅;所述第二绝缘层包括钝化层和平坦层,其中,所述钝化层包括氮化硅,所述平坦层包括有机树脂。
优选地,所述薄膜晶体管阵列基板还包括第三绝缘层和像素电极层,所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层以及所述公共电极层上,所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上设有将所述漏极露出的第一过孔;所述像素电极层设置在所述第三绝缘层上,所述像素电极层通过第一过孔与所述漏极接触,所述像素电极层上形成有像素电极。
优选地,所述像素电极位于所述第一公共电极的上方。
优选地,所述第三绝缘层为钝化层,包括氮化硅。
优选地,所述公共电极层包括氧化铟锡或氧化铟锌,所述像素电极层包括氧化铟锡或氧化铟锌。
优选地,所述公共电极和所述辅助公共电极通过同一道光罩形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的