[实用新型]基板支撑体以及基板处理装置有效
申请号: | 201820436065.4 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN208173558U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 朴性敏 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑体 基板处理装置 基板支撑体 下部基板 本实用新型 上部基板 基板 支撑 腔室 装载 | ||
本实用新型公开了一种基板支撑体(300)以及基板处理装置(100)。本实用新型涉及的基板支撑体(300)对投入到基板处理装置(100)的腔室并被处理的基板(5)进行支撑,其包括下部基板支撑体(350)以及装载在下部基板支撑体(350)上部的上部基板支撑体(310),上部基板支撑体(310)和下部基板支撑体(350)上分别搭载并支撑有基板(5)。
技术领域
本实用新型涉及一种基板支撑体以及基板处理装置。更加详细而言,涉及一种能够在有限的腔室空间内提高基板的装载量并且提高生产性的基板支撑体。
背景技术
在制造平板显示器时所使用的批处理式基板处理装置在对多个基板同时予以处理的空间即腔室中设置能够支撑多个基板的支撑单元。最近,随着平板显示器的尺寸在增加,能够稳定支撑大面积基板的支撑单元的需求也在逐渐增加。
图1是现有的设置有基板支撑体30的基板处理装置10的立体图,图2a 和图2a分别是示出现有的基板支撑体30的立体图以及部分概略侧视图。
参照图1,现有的基板处理装置10包括本体11,本体11的内部形成有用于处理基板5的腔室12。本体11的前面形成为开放的状态,并设置有门(未图示),用于开闭腔室12。在打开门以开放腔室12的状态下,通过机械臂(未图示)等来支撑基板5并将基板5装载至腔室12后,在关闭门以封闭腔室12 的状态下,能够对基板5进行处理。
本体11的内部设置有:一体型支撑单元,包括横梁14、支架15、基板支撑体30(31、35),以便对基板5进行支撑;用于加热基板5的加热单元 20(21、25)等。
加热单元20对腔室12内部整体加热,并形成基板处理氛围,可以包括:主加热单元21,用于直接加热基板5;以及辅助加热单元25,用于加热腔室 12的侧表面,从而防止腔室12内部的热量损失。
并且,设置有用于供应以及排出气体的气体供应部40、气体排出部50,并设置有用于控制本体11壁的温度的腔室壁温度控制部60。本体11的外壁进一步形成有加强肋70,从而加强本体11的强度。
参照图2a和图2b,现有的基板处理装置10中,配置有主加热单元21的层与层之间可以构成一个狭缝S。并且,具有配置在本体11前面部和后面部的一对横梁14与基板支撑体30配置于一个狭缝S中且基板支撑体30上装载一个基板5的结构。即,每一个狭缝S可以装载一个基板5,换言之,可以根据上部的横梁14a和下部的横梁14b的高度空间,装载一个基板5。因此,应当全面考虑前后面一对横梁14和基板支撑体30的厚度,以确保机械臂进入的空间。因此,用于配置基板5的各层的间距变宽,在有限的腔室12空间内,变宽的间距导致基板5的装载量减少。在一个周期的工序中处理基板5的数量直接关系到生产性,因此需要一种增加在腔室12空间内的基板5装载量的结构。
实用新型内容
技术问题
因此,本实用新型是为了解决上述的现有技术的问题而提出的,其目的在于,提供一种在有限的腔室空间内提高基板装载量的基板支撑体以及基板处理装置。
另外,其目的在于,提供一种通过提高基板的装载量来处理更多的基板,从而提高生产性的基板支撑体以及基板处理装置。
技术方案
为了实现上述目的,本实用新型的一实施例涉及的基板支撑体,用于对投入到基板处理装置的腔室并被处理的基板进行支撑,其特征在于,所述基板支撑体包括下部基板支撑体以及层叠在下部基板支撑体上部的上部基板支撑体,上部基板支撑体和下部基板支撑体上分别搭载并支撑有基板。
各上部基板支撑体以及下部基板支撑体可以包括:彼此对置的一对主杆;以及多个连接杆,连接所述一对主杆。
上部基板支撑体的主杆两端的下部可以形成有与下部基板支撑体的上部结合的结合部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造