[实用新型]基板支撑体以及基板处理装置有效
申请号: | 201820436065.4 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN208173558U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 朴性敏 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑体 基板处理装置 基板支撑体 下部基板 本实用新型 上部基板 基板 支撑 腔室 装载 | ||
1.一种基板支撑体,用于对投入到基板处理装置的腔室并被处理的基板进行支撑,其特征在于,
所述基板支撑体包括下部基板支撑体以及层叠在下部基板支撑体上部的上部基板支撑体,
上部基板支撑体和下部基板支撑体上分别搭载并支撑有基板。
2.根据权利要求1所述的基板支撑体,其特征在于,
各上部基板支撑体以及下部基板支撑体包括:
彼此对置的一对主杆;以及
多个连接杆,连接所述一对主杆。
3.根据权利要求2所述的基板支撑体,其特征在于,
上部基板支撑体的主杆两端的下部形成有与下部基板支撑体的上部结合的结合部。
4.根据权利要求2所述的基板支撑体,其特征在于,
下部基板支撑体的主杆两端的上部形成有与上部基板支撑体的下部结合的结合部。
5.根据权利要求2所述的基板支撑体,其特征在于,
主杆上设置有对基板进行搭载并支撑的多个第一支撑销,连接杆上设置有对基板进行支撑的多个第二支撑销。
6.根据权利要求2所述的基板支撑体,其特征在于
下部基板支撑体的主杆的一端部侧设置有弧形支撑片,所述弧形支撑片形成为半圆形状,以套入并支撑于对象物体上,
位于下部基板支撑体的主杆的另一端部侧的连接杆上设置有直线形支撑片,所述直线形支撑片搭载并支撑于对象物体上。
7.一种基板处理装置,用于对投入到腔室中的多个基板进行处理,其特征在于,包括:
本体,提供作为基板处理空间的腔室;
多个主加热单元,配置成在腔室内沿着垂直方向具有规定间隔;
基板支撑体,配置在上部的主加热单元和下部的主加热单元之间,
基板支撑体包括下部基板支撑体以及层叠在下部基板支撑体上部的上部基板支撑体,
上部基板支撑体和下部基板支撑体上分别搭载并支撑有基板。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
腔室内配置有多个基板支撑体,各基板支撑体被位于主加热单元最外侧的一对单位主加热器支撑。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
单位主加热器呈棒状,从腔室的一侧连通至腔室的另一侧。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于
各上部基板支撑体以及下部基板支撑体包括:
彼此对置的一对主杆;以及
多个连接杆,连接所述一对主杆。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
上部基板支撑体的主杆两端的下部形成有与下部基板支撑体的上部结合的结合部。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
下部基板支撑体的主杆两端的上部形成有与上部基板支撑体的下部结合的结合部。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
主杆上设置有对基板进行搭载并支撑的多个第一支撑销,连接杆上设置有对基板进行支撑的多个第二支撑销。
14.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
下部基板支撑体的主杆的一端部侧设置有弧形支撑片,所述弧形支撑片形成为半圆形状,以套入并支撑于对象物体上,
位于下部基板支撑体的主杆的另一端部侧的连接杆上设置有直线形支撑片,所述直线形支撑片搭载并支撑于对象物体上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造