[实用新型]一种新型石墨坩埚

说明书

由于现有的采用电子束加热的真空镀膜机在加热时，电子束的加热的温度高达1000℃～3000℃，而有机物的挥发温度基本在400℃～800℃之间，故用电子束对有机物直接进行加热可能会导致有机会分解。为了能够使用现有的普遍应用的采用电子束加热的真空蒸发镀膜机，本实用新型提出一种新型石墨坩埚，该新型石墨坩埚可以应用于现有的采用电子束加热的真空蒸发镀膜机中，取代常规的坩埚，这样，高能量的电子束打在本实用新型的新型石墨坩埚的表面，而石墨具有降温作用，这样会对坩埚内的有机物蒸发镀膜材料进行保护，使得有机物蒸发镀膜材料能够在低于电子束加热温度的情况下就开始蒸发保证在整个有机物进行真空蒸发镀膜的过程中有机物不会发生分解。

技术领域

本实用新型涉及到真空镀膜技术，尤其是涉及到一种用于真空镀膜机的新型石墨坩埚。

背景技术

蒸发镀膜技术是指通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，其中有一种加热方式为采用电子束加热源进行加热，当采用电子束加热源进行加热时，可以使得加热的温度达到1000℃～3000℃，使得金属蒸发镀膜材料能够充分蒸发并沉积在待镀膜的材料的表面，故采用电子束加热的方式目前已经普及。

随着蒸发镀膜技术的发展，在真空条件下进行蒸发镀膜技术已经成熟，但是基本上都是只能针对挥发温度较高的材料，针对挥发温度较低的有机物，则很难通过电子束加热的方式采用真空蒸发镀膜技术实现，原因在于基本上有机物的挥发温度相对都比较低，基本在400℃～800℃之间，远远低于电子束的加热温度，这样就会使得有机物可能在高温的情况下发生分解，而这些并不是我们乐于见到的现象。

实用新型内容

有鉴于此，为了能够使用现有的普遍应用的采用电子束加热的真空蒸发镀膜机，本实用新型提出一种新型石墨坩埚，该新型石墨坩埚可以应用于现有的采用电子束加热的真空蒸发镀膜机中，取代常规的坩埚，这样，高能量的电子束不会直接打在蒸发镀膜材料的表面，而是打在本实用新型的新型石墨坩埚的表面，而石墨具有降温作用，这样会对坩埚内的有机物蒸发镀膜材料进行保护，使得有机物蒸发镀膜材料能够在低于电子束加热温度的情况下就开始蒸发，并沉积在待镀膜的工件表面，保证在整个有机物进行真空蒸发镀膜的过程中有机物不会发生分解。

一种新型石墨坩埚，其包括：上盖1和下盖2，其特征在于：上盖1上从上到下依次排布有蒸发台11、电子束打火台12、上盖边缘13以及圆形凸起咬合区14，其中蒸发台11的上表面含有一蒸发孔111，该蒸发孔111从上到下贯穿整个蒸发台11；下盖2含有边缘凸台21，位于边缘凸台21内部的圆形凹陷咬合区22，以及位于圆形凹陷咬合区22内部的中心置药平台23；上盖1上的圆形凸起咬合区14与下盖2上的圆形凹陷咬合区22可以匹配吻合，且电子束打火台12、上盖边缘13以及圆形凸起咬合区14的内部贯通，与下盖2的中心置药平台23形成容置腔室15，该容置腔室15内用于存放有机物蒸发镀膜材料。

进一步的，圆形凸起咬合区14的边缘具有一个或多个凸起咬合角141。

进一步的，圆形凹陷咬合区22的边缘具有一个或多个凹陷咬合角221。

进一步的，所述的凸起咬合角和凹陷咬合角的形状包括半圆形、椭圆形、正方形、长方形、菱形等，且能互相吻合。

进一步的，所述的凸起咬合角141与凸起咬合区14的高度相同，所述的凹陷咬合区22与凹陷咬合角221的高度相同，且高度均为0.5mm～2mm。

进一步的，所述的凸起咬合区14和所述的凹陷咬合区22均为环形，凸起咬合区14的环形的外圆直径比内圆直径大1.5mm～2.5mm,凹陷咬合区22的环形的外圆直径比内圆直径大1.6mm～3mm，且凹陷咬合区22的环形的内圆直径比凸起咬合区14的环形的内圆直径小，凹陷咬合区22的环形的外圆直径比凸起咬合区14的环形的外圆直径小。

进一步的，所述的蒸发台11的上表面为半圆形，且直径为15mm～20mm，蒸发台11的高度为3mm～6mm。