[实用新型]一种用于镀膜机的石墨坩埚

说明书

由于现有的采用电子束加热的真空镀膜机在加热时，电子束的加热的温度高达1000℃～3000℃，而有机物的挥发温度基本在400℃～800℃之间，故用电子束对有机物直接进行加热可能会导致有机会分解。为了能够使用现有的普遍应用的采用电子束加热的真空蒸发镀膜机，本实用新型提出一种用于镀膜机的石墨坩埚，该石墨坩埚可以应用于现有的采用电子束加热的真空蒸发镀膜机中，取代常规的坩埚，这样，高能量的电子束打在本实用新型的石墨坩埚的表面，而石墨具有降温作用，这样会对坩埚内的有机物蒸发镀膜材料进行保护，使得有机物蒸发镀膜材料能够在低于电子束加热温度的情况下就开始蒸发保证在整个有机物进行真空蒸发镀膜的过程中有机物不会发生分解。

技术领域

本实用新型涉及到真空镀膜技术，尤其是涉及到一种用于镀膜机的石墨坩埚。

背景技术

蒸发镀膜技术是指通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，其中有一种加热方式为采用电子束加热源进行加热，当采用电子束加热源进行加热时，可以使得加热的温度达到1000℃～3000℃，使得金属蒸发镀膜材料能够充分蒸发并沉积在待镀膜的材料的表面，故采用电子束加热的方式目前已经普及。

随着蒸发镀膜技术的发展，在真空条件下进行蒸发镀膜技术已经成熟，但是基本上都是只能针对挥发温度较高的材料，针对挥发温度较低的有机物，则很难通过电子束加热的方式采用真空蒸发镀膜技术实现，原因在于基本上有机物的挥发温度相对都比较低，基本在400℃～800℃之间，远远低于电子束的加热温度，这样就会使得有机物可能在高温的情况下发生分解，而这些并不是我们乐于见到的现象。

实用新型内容

有鉴于此，为了能够使用现有的普遍应用的采用电子束加热的真空蒸发镀膜机，本实用新型提出一种用于镀膜机的石墨坩埚，该石墨坩埚可以应用于现有的采用电子束加热的真空蒸发镀膜机中，取代常规的坩埚，这样，高能量的电子束不会直接打在蒸发镀膜材料的表面，而是打在本实用新型的石墨坩埚的表面，而石墨具有降温作用，这样会对坩埚内的有机物蒸发镀膜材料进行保护，使得有机物蒸发镀膜材料能够在低于电子束加热温度的情况下就开始蒸发，并沉积在待镀膜的工件表面，保证在整个有机物进行真空蒸发镀膜的过程中有机物不会发生分解。

一种用于镀膜机的石墨坩埚，其包括上盖1和下盖2；上盖1上含有蒸发台12和咬合区凸起圆环13，蒸发台12呈圆柱形，其中圆柱形的上表面上有一蒸发孔121从上至下贯穿整个蒸发台12，且蒸发台12的上表面偏离蒸发孔121的位置有一斜坡面122，该斜坡面122为电子束打火处，蒸发台12的圆柱形的下部平面123与咬合区凸起圆环13的上表面一体成型，咬合区凸起圆环13的外径＜蒸发台12的圆柱形的外径；下盖2含有边缘凸台21、咬合区凹陷基座22和中心置药平台23，中心置药平台23为圆形，在中心置药平台23的外部环绕的一圈为咬合区凹陷基座22，咬合区凹陷基座22的外部环绕的一圈为边缘凸台21，其中中心置药平台23、咬合区凹陷基座22、和边缘凸台21的底部在同一平面，且边缘凸台21的高度高于咬合区凹陷基座22的高度，咬合区凹陷基座22的高度高于中心置药平台23的高度；上盖1的咬合区凸起圆环13与下盖2的咬合区凹陷基座22匹配吻合，上盖1的边缘凹台11与下盖2的边缘凸台21匹配吻合。

进一步的，蒸发孔121的形状为圆形、椭圆形、正方形或者菱形。

进一步优选的，蒸发孔121为圆形，且圆形的直径为1mm～2mm。

进一步的，蒸发台12的圆柱形的直径为10mm～18mm，蒸发台12的高度为2mm～5mm。

进一步的，斜坡面122与水平面的夹角为10°～30°。

进一步的，蒸发孔121位于斜坡面122与蒸发台12上表面平面相交的位置。

进一步的，咬合区凸起圆环13的圆环的高度为1mm～3mm，咬合区凸起圆环13的圆环的外径比内径大1mm。