[实用新型]包括温度传感器的电子器件有效
申请号: | 201820374897.8 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN208157405U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | J·R-吉塔特;赫伯特·德维利斯古威尔;戈登·M·格里芙尼亚 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G01K7/01 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王琳;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度传感器 栅极指状物 流道 漏极指状物 电子器件 导电桥 源极指 状物 漏极电极 源极电极 栅极电极 导电路径 温度测量 晶体管 | ||
本公开涉及一种包括温度传感器的电子器件。所述温度传感器可包括漏极电极,所述漏极电极包括与源极指状物间隔开的漏极指状物;源极电极,所述源极电极包括与所述漏极指状物间隔开的源极指状物;以及栅极电极,所述栅极电极包括流道、栅极指状物和导电桥。在一个实施方案中,所述流道包括第一部分以及与所述第一部分间隔开的第二部分,所述栅极指状物耦接到所述流道,并且每个栅极指状物设置在一对所述源极指状物和所述漏极指状物之间。所述导电桥连接至少两个栅极指状物,其中所述导电桥沿着所述流道的所述第一部分和所述第二部分之间的导电路径。所述温度传感器的设计可提供反映所述电子器件内的晶体管的更准确的温度测量。
技术领域
本公开涉及电子器件,并且更具体地讲,涉及包括温度传感器的电子器件。
背景技术
温度传感器可提供用于控制其他电子部件的可用信息。一些温度传感器可相对简单并且包括源极电极、漏极电极和栅极电极。此类温度传感器可能不能准确地模拟其他电子部件内的操作和温度条件。期望对温度传感器进行进一步改进。
实用新型内容
由本实用新型解决的问题是提供这样的温度传感器,该温度传感器更能代表电子器件内晶体管所见的温度。
根据本实用新型的一方面,提供了电子器件。电子器件可包括温度传感器。温度传感器可包括漏极电极,该漏极电极包括多个漏极指状物;源极电极,该源极电极包括与多个漏极指状物间隔开的多个源极指状物;以及栅极电极,该栅极电极包括流道、多个栅极指状物和第一导电桥,其中流道包括第一部分以及与第一部分间隔开的第二部分,多个栅极指状物耦接到流道并且每个栅极指状物设置在一个由一源极指状物和一漏极指状物形成的源极漏极指状物对之间,并且第一导电桥连接至少两个栅极指状物,其中第一导电桥沿着流道的第一部分和第二部分之间的导电路径。
在一个实施方案中,每个栅极指状物具有从流道延伸的近侧端部以及与近侧端部相对的远侧端部,第一导电桥在至少两个栅极指状物的远侧端部处,并且从俯视角度来看,第一导电桥和至少两个栅极指状物的组合沿着源极电极的特定源极指状物的三个侧面放置。
在另一个实施方案中,每个栅极指状物具有从流道延伸的近侧端部以及与近侧端部相对的远侧端部,第一导电桥与至少两个栅极指状物的远侧端部和近侧端部间隔开,并且第一导电桥覆盖在源极电极的特定源极指状物上面。
在再一个实施方案中,电子器件还包括晶体管,该晶体管包括晶体管源极电极,该晶体管源极电极包括多个晶体管源极指状物;晶体管漏极电极,该晶体管漏极电极包括与多个晶体管源极指状物间隔开的多个晶体管漏极指状物;以及晶体管栅极电极,该晶体管栅极电极包括多个晶体管栅极指状物,其中多个晶体管栅极指状物设置在多个晶体管源极指状物和多个晶体管漏极指状物之间。
在又一个实施方案中,温度传感器还包括栅极焊盘和传感器焊盘,其中栅极焊盘耦接到流道,其中在所述流道的所述第一部分和所述流道的所述第二部分两者中,沿着导电路径,栅极焊盘更靠近流道的第一部分,并且传感器焊盘耦接到流道,其中在所述流道的所述第一部分和所述流道的所述第二部分两者中,沿着导电路径,传感器焊盘更靠近流道的第二部分。
在特定实施方案中,流道占栅极焊盘和传感器焊盘之间的电阻的至多30%。
在另外的实施方案中,温度传感器还包括源极端子、漏极端子、栅极焊盘、以及传感器焊盘,其中源极端子耦接到源极电极,漏极端子耦接到漏极电极,每个栅极指状物具有从流道延伸的近侧端部以及与近侧端部相对的远侧端部,栅极焊盘耦接到流道,其中在所述流道的所述第一部分和所述流道的所述第二部分两者中,沿着导电路径,栅极焊盘更靠近流道的第一部分,传感器焊盘耦接到流道,其中在所述流道的所述第一部分和所述流道的所述第二部分两者中,沿着导电路径,传感器焊盘更靠近流道的第二部分,并且流道占栅极焊盘和传感器焊盘之间的电阻的至多30%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的